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西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49_U-S晶振,石英晶振

頻率：3.5~50MHZ

尺寸：11.5*4.66mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車(chē)電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹(shù)脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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西鐵城晶振公司為工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備,不斷開(kāi)發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個(gè)良好的信譽(yù)在市場(chǎng)上特別是對(duì)我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來(lái)改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價(jià)值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個(gè)利基市場(chǎng).日本株式會(huì)社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時(shí)間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時(shí)計(jì)產(chǎn)品，在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水，防振的手表，從此轟動(dòng)世界成為了個(gè)性時(shí)尚品牌.在1975年西鐵城會(huì)社成立了西鐵城株式會(huì)社水晶事業(yè)部，從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動(dòng)子.49S插件石英諧振器,高可靠性音叉晶體,HC-49_U-S晶振
另外，使用了壓電材料的引擎部分使用的燃燒壓力，作為車(chē)載化的目標(biāo)開(kāi)發(fā)，對(duì)廢氣的清潔化和燃油效率提高的環(huán)境產(chǎn)品，作為對(duì)汽車(chē)業(yè)界的進(jìn)一步貢獻(xiàn)。把附加價(jià)值的產(chǎn)品提供在市場(chǎng)上，是公司職員的大夢(mèng)想。為了夢(mèng)想的實(shí)現(xiàn)每個(gè)人的挑戰(zhàn)精神作為原動(dòng)力的制作貢獻(xiàn)了新的價(jià)值創(chuàng)造。西鐵城晶振從設(shè)計(jì)階段開(kāi)始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),西鐵城晶振由環(huán)保主管董事?lián)握麄€(gè)集團(tuán)的環(huán)保活動(dòng)的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?；顒?dòng).此外,社長(zhǎng)的咨詢機(jī)構(gòu)—環(huán)保委員會(huì),還針對(duì)各西鐵城晶振,石英晶體諧振器,西鐵城石英晶振,石英振蕩子,西鐵城石英晶振據(jù)點(diǎn)的活動(dòng)情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動(dòng),設(shè)立了“防止全球變暖委員會(huì)”,加快設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中CO2減排活動(dòng)的步伐.

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西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49晶振,石英晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術(shù): AT 切型晶振的晶片厚度為：t= 1670*n/ f 0BT 切型石英晶振的晶片厚度為：t= 2560*n/ f 0t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標(biāo)稱(chēng)頻率(KHz) n: 泛音次數(shù)2.6、晶振的腐蝕技術(shù)：用酸液腐蝕掉因研磨而產(chǎn)生的破壞層，消除晶片內(nèi)應(yīng)力，同時(shí)使石英晶振的晶片達(dá)到更準(zhǔn)確的目標(biāo)值。腐蝕頻率=（1000*（F/N）+（F 2 /N 2 ）*PB）*NF：石英晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率。如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.N: 振動(dòng)模式 Fund N=1、 3Rd N=3PB：貼片晶振腐蝕反饋系數(shù)。一般在 0.5—1.5 之間.頻率低系數(shù)大，頻率高系數(shù)小2.7、石英晶振的清洗：清洗掉石英晶振晶片表面的酸液和其它雜質(zhì)。以被用于制造石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器。2.8、分檔測(cè)試：石英晶振晶片經(jīng)過(guò)上述工序后，進(jìn)行分檔測(cè)試。剔除不良品。2.8.1、RI 不良：不是此規(guī)格的石英晶振晶片、碎片、CI 非常大的晶片。2.8.2、CI 不良：相對(duì)阻抗較大的晶振晶片。2.8.1、±NG 不良：頻率超出分檔頻率范圍的貼片晶振晶片。2.8.1、SPNG 不良：有寄生的晶振晶片。左寄生要求衰減 8dB 以上，右寄生要求衰減 3dB 以上。49S插件石英諧振器,高可靠性音叉晶體,HC-49_U-S晶振

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西鐵城晶振	單位	CSX-750F晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	13~54MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±30× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 /year Max.	+25°C,第一年

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耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD石英晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49晶振,石英晶振

（1）柱面式石英晶振產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

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(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件圖:用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。49S插件石英諧振器,高可靠性音叉晶體,HC-49_U-S晶振

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。49U音叉晶振的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49晶振,石英晶振
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在日本進(jìn)口諧振器振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。

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振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)49S型插件晶振負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)插件石英晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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