加高晶振,2016晶振,HSX211SK晶振
頻率:20.000MHz~50.000MHz
尺寸:2.05*1.65*0.45mm
加高電子(H.ELE。)是頻率元件的專業制造商,目前所提供之石英晶體諧振器(水晶),晶體振蕩器(振蕩器)之生產及銷售規模居全臺領先地位。成立于1976年年,借由與日本DAISHINKU(KDS)株式會社的合作,引進日本精密制程,產品設計技術及講究的品質管理工法,進而累積扎實的研發能力。在服務上,我們致力于建立深厚的顧客信賴關系及滿意度的提升。為達到全面服務客戶的需求,制造質量與價格優勢,我們在臺灣,大陸及泰國皆擁有生產工廠,并且提供多元化的網路服務,配置多國語言能力之銷售團隊。
加高電子品質管理系統的推動執行,是由品質政策展開,合理化推動臺灣晶振品質管理,落實品質系統有效實施,相繼于2000年取得ISO9001認證,2006年經BVQi驗證取得ISO/TS16949品質系統之標準。我們確實遵循RoHS(歐盟電子電機產品有害物質禁止用指令),SONY技術標準文件(SS-00259)及其他法規與客戶要求,推動環境教育活動,持續強化全員及供應商的環保觀念及認知重視無有害物質的產品及生產過程,致力推動設計綠色產品。
加高晶振,2016晶振,HSX211SK晶振.產品本身是體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
加高石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。2016石英諧振器,金屬面四腳SMD晶振,HSX211SK晶振
加高晶振 |
單位 |
HSX211SK晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
20.000MHZ~50.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+105°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF、10pF、12PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致SMD晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。加高晶振,2016晶振,HSX211SK晶振
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用小體積晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞2016晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。2016石英諧振器,金屬面四腳SMD晶振,HSX211SK晶振
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明2016mm貼片晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。加高晶振,2016晶振,HSX211SK晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會貼片諧振器增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致2016mm石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2016石英諧振器,金屬面四腳SMD晶振,HSX211SK晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
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