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加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振

頻率：8~80MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

加高石英晶振本著顧客滿意與品質領先的使命感，為提供客戶穩定的產品品質，本公司均依照TS16949 / ISO9001的國際品質認證要求，執行并建構品質保證系統，實行嚴格的品質控制制度，加高電子品質管理系統的推動執行，是由品質政策展開，合理化推動品質管理，落實品質系統有效實施，相繼于2000年取得ISO9001認證，2006年經BVQi驗證取得ISO / TS16949品質系統之標準。
加高電子（H.ELE。）是頻率元件的專業制造商，目前所提供之石英晶體（水晶），進口晶體振蕩器（振蕩器）之生產及銷售規模居全臺領先地位。成立于1976年年，借由與日本DAISHINKU（KDS）株式會社的合作，引進日本精密制程，產品設計技術及講究的品質管理工法，進而累積扎實的研發能力。我們擁有廣泛的產品規格及客制化服務，應用范圍涵蓋日常消費產品（如：網路與通訊產品，智慧家庭和個人電腦），高階工業產品和車用電子。 JLX-1

加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求。
石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，SMD晶振溫度范圍寬(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。
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加高晶振	單位	HSX531S晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8MHZ~80MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標準溫度
激勵功率	DL	10~300μW Max.	推薦:10μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6 (標準), (±10× 10-6 ~±20× 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF,10pF,12PF,16PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C ~+60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振
熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英貼片晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。
一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是進口石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R） JLX-5

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計無源晶振頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量臺產無源晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

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振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在智能手機晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是臺灣進口貼片晶振通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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