希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
頻率:3.5~80MHZ
尺寸:12.3*4.7mm
希華晶體科技敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,持續致力于技術研究貼片晶振開發及品質落實扎根,營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠。 希華晶體承諾所有的運作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認知環保與社會責任的標準,成為一個創造股東最大權益、照顧員工、善盡社會責任的好公司。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
自2003年起推行無源晶振節能減碳措施,落實于電力、空調、氣體、照明、用水、資源回收、禁用免洗碗筷等項目,有效降低碳排放,節省公司支出。注重廠區綠化植栽及環境維護,植栽綠覆率達34%提供員工優良工作、生活環境。希華晶體科技股份有限公司,依據‘ISO 14001環境/OHSAS-18001安衛管理系統’要求制定本‘環境/安衛手冊’,以界定本公司環境/安衛管理系統之范圍,包括任何排除之細節及調整,并指引環境/安衛管理系統與各書面、辦法書之對應關系,包含在環境/安衛管理系統內之流程順序及交互作用的描述。本公司環境/安衛管理系統之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務。
希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振希華企業的競爭力,使晶振廠家希華企業在高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
希華晶振 |
單位 |
LP-4.2S晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.5MHz~80.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+70°C,-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C ~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±50× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由頻率計數器測量頻率比目標頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標頻率,反之亦然。可以采用不同負載電容(CL)的石英SMD晶振試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過和頻率調節到目標之后。根據該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標只有三分之一。希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
進口石英晶振具有多種振動模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當基頻模式應用時,晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當第三色調模式被應用,一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標頻率時,要檢查是否放大處理電路被施加或它的設定值就足夠了,因為電路的環境適合于基本模式,而不是第三次泛音調模式。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
此外,放大電路,第三色調模式設計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統故障是由于超大輸出波形的幅度。也可以提高終端假貼片石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率。我們可以發現存在的問題是根據頻率什么。如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個理由的狀態是否是浮動的。請改為浮動,如果它不是。如果信號具有高頻率,請使用以下方法:使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負載電容CL。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計壓電晶體頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量49S型貼片晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)
振蕩電路的檢查方法:必須盡可能地測量安裝在電路上的49SMD晶振的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
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