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愛普生晶振,SMD晶體,MC-30A晶振,MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN

頻率：32.768KHz

尺寸：8.0*3.8*2.54mm

工作溫度:-40℃~+85℃

保存溫度:-55℃~+125℃

負載電容:12.5pF

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,在移動通信領域得到了廣泛的應用."MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術參數點擊下載

愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發展以及實現更舒暢的未來而竭誠奉獻.愛普生公司擁有世界頂端的機械技術,是全球數碼映像的領軍企業,同時也生產打印機和影印機等產品.而在電子元器件中,占主席地位,石英晶振中,EPSON愛普生做的異常出色.具了解，愛普生現已實現成為石英部件的NO1.8038陶瓷面諧振器,SMD型大體積石英晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"

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愛普生晶振,SMD晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN",是一款8038mm大體積32.768K晶振系列產品,是目前市場上用途較為廣泛的一顆黑色陶瓷面的大尺寸石英晶體,通過了AEC-Q200認證,被確認為最適合用于汽車音響,ECU子時鐘,汽車導航系統和時鐘產品的進口晶振,完善的工藝技術和貼心的服務,使EPSON品牌在全球晶體元器件行業中擁有越來越高的地位.

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愛普生晶振	單位	MC-30A晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20ppm、±50ppm、±100ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6pF~12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-4 耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害MC-30A無源晶體。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD晶體。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD晶振使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接，請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。愛普生晶振,SMD晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口貼片晶振。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時，請重新檢查安裝條件。同時，在安裝前后，請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會受到影響，而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產品
（4）對于可清洗產品，應避免使用可能對MC-30A愛普生晶振產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。8038陶瓷面諧振器,SMD型大體積石英晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"

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1、設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。8038陶瓷面諧振器,SMD型大體積石英晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛普生晶振,SMD晶體,MC-30A晶振,"MC-30AY 32.7680K-A3:PURE SN"

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