自1944年創(chuàng)業(yè)以來(lái)，村田得到了巨大的發(fā)展，在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度，石英晶振營(yíng)業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬(wàn)億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長(zhǎng)期以來(lái)的大力支持。世界經(jīng)濟(jì)的前景雖不明朗，但電子設(shè)備社會(huì)正在迅速、切實(shí)地向前發(fā)展。而這樣的變化也為村田帶來(lái)了新的商機(jī)。村田制定了新的“中期構(gòu)想2018”以及“長(zhǎng)期構(gòu)想”，指明了為電子設(shè)備社會(huì)的發(fā)展做貢獻(xiàn)的未來(lái)發(fā)展之路。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
     此外，我們也將把汽車、能源、醫(yī)療保健作為重點(diǎn)市場(chǎng)，并提供只有村田才能實(shí)現(xiàn)的價(jià)值。在新感應(yīng)技術(shù)及通信技術(shù)需求不斷提高的IoT社會(huì)，村田將作為一個(gè)晶振重要的參與者來(lái)體現(xiàn)其存在的價(jià)值，并不斷強(qiáng)化制造、技術(shù)開(kāi)發(fā)及人才開(kāi)發(fā)等事業(yè)基礎(chǔ)。村田的發(fā)展永無(wú)止境，而在新的發(fā)展過(guò)程中“經(jīng)營(yíng)理念”也將始終是各項(xiàng)工作的基礎(chǔ)。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經(jīng)營(yíng)理念”，使村田永遠(yuǎn)成為為客戶和社會(huì)而存在的企業(yè)。

       村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)37.4000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
     石英晶振真空退火技術(shù)：SMD晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

        所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊:抗沖擊是指無(wú)源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
      4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口貼片晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

         驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明1210mm金屬面石英晶體振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

       測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)1210nn石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）

       1、振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定1210mm貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。

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