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村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

頻率：32MHZ

尺寸：1.6*1.2*0.33mm

小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應32.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

村田晶振從設計階段開始減少環保負荷的體制建設,村田晶振由環保主管董事擔任整個集團的環保活動的總負責人,由環保部跨事業所支持和促進環保活動.此外,社長的咨詢機構—環保委員會,還針對各村田晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振蕩子,村田石英晶振據點的活動情況和全公司的環保課題進行議論和探討.此外,為大力推進二氧化碳減排活動,設立了“防止全球變暖委員會”,加快設計、開發和生產過程中CO2減排活動的步伐.輕薄型1612無源諧振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
截止到2006年度,村田晶振在國內外的所有生產據點以及國內的非生產據點——村田制作所總公司、東京分公司、營業所,均取得了ISO14001認證.此后,村田陶瓷晶振努力開展體系整合,并于2007年3月在國內集團的34個據點完成了向ISO14001多站認證的轉變.村田晶振力求通過此舉,落實從設計、開發到村田晶振,陶瓷諧振器,村田進口石英晶振,村田陶瓷諧振器的生產、銷售的一條龍環保管理,同時還將在一部分據點取得顯著成效的改善事例推廣應用到其他據點等,以提高整個村田晶振集團的環保績效.

村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振,貼片晶振本身體積小超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使無源晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。輕薄型1612無源諧振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

TXC晶振	單位	MCR1612晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10MHZ	標準頻率
包裝規格	mm	180	最小訂購單位:3000
工作溫度	T_use	-30°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1~200μW
頻率公差	f_— l	±30×10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	(±15)×10-6/-20°C~+70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	100Ω	-20°C~ +70°C, DL = 50μW
頻率老化	f_age	±3×10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的SMD石英晶體芯片組。（請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
例如，為了獲得晶振穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。輕薄型1612無源諧振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他進口無源晶振具有較低負載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

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負載電容:如果貼片石英晶振振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

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測試條:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量1612小體積晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于1612mm晶體諧振器IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制1612石英貼片晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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