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NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振

頻率：16.000MHz~50.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.8mm

2016mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27837162

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NDK-1

日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí)，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值，我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性，確實(shí)盡到對各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。在ADAS（先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)）所使用的車載相機(jī)和倒車?yán)走_(dá)、遠(yuǎn)程信息處理等用途，晶體元器件的需求也呈現(xiàn)增加的趨勢。因此，我們會開發(fā)TCXO（溫補(bǔ)晶振）、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產(chǎn)品并擴(kuò)大其銷售。
致力于環(huán)境保護(hù)，包括預(yù)防污染。在貼片晶振產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過程中，努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動(dòng)中，努力節(jié)約資源并節(jié)省能源，致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí)，通過支持環(huán)?；顒?dòng)，廣泛地為社會作貢獻(xiàn)。致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用。切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act），努力提高環(huán)境性能，不斷改善運(yùn)用系統(tǒng)。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振

JLX-1

NDK-2

NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振.2016mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
NDK石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振

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NDK晶振	單位	NX2016GC晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHz~50.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10μW Max.	推薦:10μW~200μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±150× 10^-6/-40°C ~+150°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C~ +150°C, DL = 10μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

NX2016GC_2.0_1.6

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RB-4

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對無源晶振外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)谛麄鲀浴⒁?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些貼片有源晶振沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵(lì)電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)?b>聲表濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振

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1、設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明2016石英晶體所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加陶瓷面兩腳晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果2016貼片晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振

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