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NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振

頻率：10.000MHz

尺寸：3.2*2.5*1.0mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

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NDK晶振集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場的產(chǎn)品的再強(qiáng)化上，把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長戰(zhàn)略。并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域，利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃。通過贏得客戶的高評(píng)價(jià)和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益，來努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。開發(fā)小型?高精度的OCXO（恒溫晶振）、高頻振蕩器、超低相位噪聲振蕩器等的產(chǎn)業(yè)用高附加價(jià)值產(chǎn)品并擴(kuò)大其銷售。
NDK晶振，貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中，努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值，給社會(huì)帶來溫馨和安寧，感動(dòng)和驚喜，同時(shí)為減少環(huán)境影響，努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”，實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振

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NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于車載電子,筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
NDK石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英水晶振動(dòng)子的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振

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NDK晶振	單位	NX3225GD晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7.980MHz~12.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C~+150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10μW Max.	推薦:10μW~200μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±150× 10^-6/-40°C ~+150°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C~ +150°C, DL = 10μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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NX3225GD-3.2_2.5

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自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后，彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí)，務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí)，在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂，請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí)，在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂，請(qǐng)事先檢查焊接特性。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振

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1、設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明3225無源晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加陶瓷兩腳晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果石英晶體諧振器振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振

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