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瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：3.2*1.5*0.7mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定.

訂購熱線：0755-27837162

瑞康為當代和后代的通信和定位技術提供了石英晶振產品和解決方案。然而，沒有改變的是瑞康的成功意愿，無論市場，地理位置還是競爭情景。瑞康不懈地與客戶合作，在影響當今世界人們工作和娛樂方式的前沿技術和產品方面。瑞康與世界上最大的一些技術品牌合作，實現了下一代解決方案。瑞康的Pluto™和Pluto +™TCXO產品是許多3層定時網絡的核心，是小型應用的首選TCXO。
瑞康處于技術前沿，為不斷發展的行業提供解決方案，準確了解市場需求，開發創新產品設計并將其與全球制造基地相結合。瑞康的產品系列包括低穩定度晶體振蕩器（XO），壓控晶體振蕩器（VCXO）和晶體產品，通過高容量精密溫補晶振（TCXO），烤箱控制晶體振蕩器（OCXO），表面聲波（SAW））振蕩器和專業產品，以實現極高的性能。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振

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瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性.
瑞康石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使貼片石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。

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瑞康晶振	單位	RTF3215晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ~+105°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10× 10-6 (標準), (±10× 10-6 ~±100× 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±10× 10-6/-40°C ～ +85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7pF、9pF、12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振
使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用進口貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致石英晶體諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。

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1、振蕩電路
3215兩腳貼片晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在32.768K石英晶體的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

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限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于貼片晶振32.768K的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司

聯系人：茹紅青

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微信公眾號：CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振

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關鍵詞：SMD型千赫茲晶體 32.768K晶體諧振器 RTF3215晶振

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