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SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：1.54*0.8mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：0755-27837162

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SiTime在MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)、模擬CMOS電路設(shè)計和開發(fā)方面具有深厚的技術(shù)專長，并具有成本效益的組裝和測試。這些專業(yè)技術(shù)的結(jié)合，都是在SiTime內(nèi)部進(jìn)行的，在計時行業(yè)中是獨一無二的，推動創(chuàng)新的速度要比quartz快得多。除了MEMS和模擬電路的專業(yè)知識外，SiTime還具備以優(yōu)異的有源晶振質(zhì)量和可靠性交付大量產(chǎn)品的能力。這種能力來自于我們的裝配、測試和校準(zhǔn)技術(shù)，使我們能夠提供一個完全集成的解決方案，完全可以與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的腳印相兼容。
SiTime的基于內(nèi)存的硅計時解決方案受益于廣泛的應(yīng)用。作為石英設(shè)備的替代品，SiTime的振蕩器和時鐘發(fā)生器已經(jīng)成功地將石英晶振為硅基產(chǎn)品。通過一個全新的全硅平臺，SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術(shù)突破是通過利用硅技術(shù)的優(yōu)勢，結(jié)合了數(shù)十年的MEMS諧振器經(jīng)驗和內(nèi)部模擬技術(shù)來實現(xiàn)的。半導(dǎo)體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中，從而完全消除外部時鐘，簡化系統(tǒng)設(shè)計。

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SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振.是全球最小，功耗最低的32.768kHz振蕩器，針對移動和其他電池供電應(yīng)用而優(yōu)化。SiTime的硅MEMS技術(shù)實現(xiàn)了最小尺寸和芯片級封裝。與現(xiàn)有的2.0*1.2mm SMD XTAL封裝相比，該器件可將32 kHz占用空間減少85％。與XTAL不同，SiT1532振蕩器輸出實現(xiàn)了更大的元件貼裝靈活性，并消除了外部負(fù)載電容，從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間。
SiTime晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型貼片振蕩器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振

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SiTime晶振	標(biāo)示	SiT1532晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	32.768KHz
電源電圧	Vcc	＋1.5V~3.63V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	LVCMOS出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±10、±20×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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SiT1532 1508 32.768K OSC

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近硅振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時，當(dāng)P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的MEMS晶振的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時，請檢查安裝方向是否正確。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會導(dǎo)致美國進(jìn)口晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明32.768K振蕩器所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加耐高溫晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英晶體振蕩器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

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