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Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振

頻率：10.000MHz~300MHz

尺寸：20.5mm*20.5mm

溫補型石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體振蕩器檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的TCXO振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能.

訂購熱線：0755-27837162

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Greenray格林雷工業生產貼片晶體振蕩器,有源晶振,SMT、thru - hole、混合和定制產品.所生產的石英晶體振蕩器根據性能可以分為：普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶振（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）等.確保所生產晶振，貼片石英晶振的質量，都會經過廣泛的電氣以及環境測試。
Greenray格林雷晶振集團為幾個主要市場提供石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等頻率控制解決方案.在軍事市場上,我們為智能彈藥、導彈制導、移動接收器和雷達系統提供產品.
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Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振.20.5*20.5mm體積的溫補晶體振蕩器,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
石英晶振曲率半徑加工技術：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。大尺寸溫補晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振

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型號		*T1170晶振 (TCXO)20.520.5mm**
輸出頻率范圍		10~300MHz
標準頻率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍		+3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定度	常溫偏差	±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ ±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動時間		2.0ms max.

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t1170 20.50 x 20.50 TCXO

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抗沖擊
插件有源晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。大尺寸溫補晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解TCXO晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞定位導航晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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1、振蕩電路
石英晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉晶體的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。大尺寸溫補晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于無源晶振的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。