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CTS晶振,貼片晶振,TFE20晶振,無源時鐘晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

2012mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.

訂購熱線：0755-27837162

CTS是航空航天、通信、國防、工業、信息技術、醫療和運輸市場的OEM、傳感器和電子元器件的主要設計者和制造商。CTS生產的產品在北美洲、歐洲和亞洲。2013一月，奧沙利文加入了CTS的總裁和首席執行官。在這一年，CTS重新定義了進口晶振簡化業務模式、集中精力和推動利潤增長的戰略，從而減少了全球足跡，改善了競爭地位，提高了盈利能力。進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振
2007、CTS完成α陶瓷收購，提供傳感器在軍事和航空航天市場的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此，CTS增強其全球領先的位置在壓電陶瓷具有獨特的能力范圍,2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購，在精度和頻率的石英晶體諧振器的設計制造的領導者。此次收購擴大了CTS的技術和工程能力。CTS繼續提供創新的解決方案，利用金屬陶瓷技術為國內汽車制造商提供可靠的引擎蓋位置傳感器。

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CTS晶振,貼片晶振,TFE20晶振,無源時鐘晶振,貼片石英晶體諧振器，又簡稱為排帶包裝，這是這產品采用排帶盤式包裝，使產品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接，大大節約人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子時鐘晶體，其本身主要應用在時鐘控制產品，或者是控制模塊，主要給時鐘芯片提供一個基準信號，其主要各項功能還得看應用何種產品。本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
無源晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內，由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作.進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

CTS晶振	單位	TFE20晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1~0.5μW Max.	推薦:0.1~0.5μW
頻率公差	f_— l	±10,20× 10-6	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	5,7,9,12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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晶振產品使用每種產品時,請在石英進口晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 CTS晶振,貼片晶振,TFE20晶振,無源時鐘晶振
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存音叉型晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至+35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性：將32.768K晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致32.768K石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。CTS晶振,貼片晶振,TFE20晶振,無源時鐘晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量2012進口石英晶體頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用2012音叉晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過32.768K貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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