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精工晶振,VT-308晶振,智能通訊晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.0*8.0mm

型　　號：VT-308晶振

封　　裝：DIP插件封裝

負(fù)載電容：6PF,9PF,12.5pf

工作溫度：-40~+85度

訂購熱線：0755-27837162

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自1881年創(chuàng)業(yè)以來,精工晶振公司已不斷地向全世界推出了各種具有革新性的商品和服務(wù). 比如有源晶振,貼片晶振, 石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等。以腕表、電子元器件、系統(tǒng)解決方案的3大業(yè)務(wù)為軸心,推進(jìn)各種業(yè)務(wù),在全球范圍內(nèi)開展各項(xiàng)活動(dòng).

SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,目前，能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的，只有日本大真空KDS。

精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768KHZ的，因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號并不是很多，但是質(zhì)量絕對可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行業(yè)十強(qiáng)企業(yè)名單中。2012年精工SEIKO集團(tuán)在國內(nèi)投資1530萬美元建設(shè)生產(chǎn)基地。更大的彌補(bǔ)了國內(nèi)市場對高端晶體的需求。

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精工晶振,VT-308晶振,智能通訊晶振

精工晶振	符號	VT-308晶振	精工晶振基本信息對照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	精工晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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VT-30832.768KSEIKO

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晶體無信號輸出

1-1.

請測量信號輸出的兩個(gè)終端水晶使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器。如果沒有信號輸出,請按照步驟1到步驟1 - 4執(zhí)行檢查。如果有信號輸出,終端的石英晶體(Xout),但在沒有信號輸出(新),請檢查后的水晶step1-5步驟1 - 6.

1-2.

請卸載水晶和測試頻率和負(fù)載電容是否他們振動(dòng),滿足你的規(guī)格使用專業(yè)測試機(jī)。你也可以寄給你的供應(yīng)商為你測試它。

1-3.

如果有下列情況發(fā)生,水晶不振動(dòng),其負(fù)載電容不匹配你的規(guī)范,或者是一個(gè)電流頻率和你的目標(biāo)之間的巨大差距的頻率,請把水晶給你的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。如果頻率和負(fù)載電容滿足您的規(guī)格,我們需要進(jìn)行等效電路測試

1-4.

等效電路的測試

1-4-1.

一般來說,微處理器來自科耳皮茲電路的振蕩電路顯示如下:

Cd和Cg外部負(fù)載各,已建成的晶片組。(請參考規(guī)格的芯片集)

射頻是反饋電阻with200KΩmΩ~ 1。這是建在芯片設(shè)置一般。

Rd限制與470Ω~ 1 kΩ電阻器。這種抵抗是不常見的電路只有電路所需電源。

1-4-2。

穩(wěn)定的振蕩電路需要負(fù)電阻,其值應(yīng)至少五次的水晶阻力。它可以寫成| - r | > 5 Rr。

例如,要獲得一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路,集成電路的負(fù)電阻的值必須低于-200Ω當(dāng)晶體電阻的值40Ω。

1-4-3。

“負(fù)阻”是衡量標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,如老化、熱變化,電壓變化,等。,電路可能不振蕩如果“Q”的價(jià)值很低。因此,它是非常重要的衡量負(fù)阻(- r)遵循下面的說明:

(1)連接電阻(R)的水晶系列

(2)調(diào)整R的值從一開始就指出的停止點(diǎn)振蕩。

(3)在振動(dòng)測量R的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。

注:連接電路的寄生電容會(huì)影響測量值。

1-4-4。

如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不是工作穩(wěn)步在振蕩電路中,我們將不得不找出集成電路的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容的值(Cd和Cg),和采取其他水晶與降低負(fù)載電容(CL)。

采用水晶阻力較低(Rr)。

使用不平等的設(shè)計(jì)值的Cd和Cg。我們可以提高Cd的負(fù)載電容(Xout)和降低負(fù)載電容的Cg(鑫)提高輸出的波形振幅鑫將用于后端電路。

1 - 5。

當(dāng)有信號輸出Xout但不新,它代表的電極后,后端電路的功耗是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖的輸出電路之間及其后電極驅(qū)動(dòng)端電路.

1 - 6。

除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三種方法在步驟1-4-4。

請接觸晶體或IC制造商的現(xiàn)場應(yīng)用工程師為進(jìn)一步援助,如果你的問題不能解決。

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在技術(shù)文獻(xiàn)及產(chǎn)品應(yīng)用上, 石英晶體共振子的共振有三組不同定義及特性的共振頻率.

(1) 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率 ( fs , fp )

(series resonance frequency and parallel resonance frequency)

(2) 諧振頻率及反諧振頻率 ( fr , fa )

(resonance frequency and anti-resonance frequency)

(3) 最大電導(dǎo)頻率及最小電導(dǎo)頻率 ( fm , fn )

(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

這三組頻率的導(dǎo)納(admittance)圖, 可以從(圖九)復(fù)數(shù)坐標(biāo)清楚的看到

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Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators

串聯(lián)偕振頻率及并聯(lián)偕振頻率, fs and fp ,是分別由電導(dǎo)(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大時(shí)的頻率.

諧振頻率及反諧振頻率, fr and fa , 分別是當(dāng)電導(dǎo)等于零(純電阻特性)的二個(gè)頻率. 在這個(gè)時(shí)候, fr 的阻抗為 1 / Rr 而fa 的阻抗為 1/ Ra.

在評估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率, fs and fp , 是最重要的二個(gè)頻率參數(shù). 對于串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率( fs and fp )二者的關(guān)系, 我們可以用下列公式來表達(dá):

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