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Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振

頻率：8.000MHz~100.000MHz

尺寸：6.0*3.5*1.1mm

產(chǎn)品具有小型,薄型化特點,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：0755-27837162

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Vectron是頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的首選技術伙伴。我們幫助客戶“創(chuàng)新、改進和發(fā)展”他們的業(yè)務。其中一些關鍵技術包括:ASIC設計、表面安裝技術、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎”(HFF)晶體設計和空間組件能力。產(chǎn)品包括晶體和OSC振蕩器;頻率翻譯;時鐘和數(shù)據(jù)恢復產(chǎn)品;看到過濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時、導航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過濾器和組件。
Vectron國際公司總部位于美國北部的哈德遜，在北美、歐洲和亞洲設有運營設施和銷售辦事處，它的技術能力在石英晶體振蕩器和濾光器設計方面都很有名。公司提供的創(chuàng)新和能力反映了更高頻率、低成本設計和小型化的趨勢，以及更先進的技術集成解決方案。
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Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.6035陶瓷面封裝壓電晶體,四腳SMD諧振器,VXE4晶振
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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VECTRON晶振	單位	VXE4晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8.000MHZ~100.000MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +90°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10-100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6 (標準), (±10 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±10 × 10-6/-40°C ～ +85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	6pF~32PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。6035陶瓷面封裝壓電晶體,四腳SMD諧振器,VXE4晶振
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些有源晶體沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼片濾波器的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振
＜光學產(chǎn)品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明6035mm貼片晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Vectron晶振,6035晶振,VXE4晶振

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2.振蕩補償
除非在6035進口晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致6035mm陶瓷面晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。6035陶瓷面封裝壓電晶體,四腳SMD諧振器,VXE4晶振

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