精工愛普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的貼片振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛普生料號(hào)等.

       愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

      EPSON晶體,壓控晶振,VG-4232CA晶振,X1G0039210002晶振,石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

       貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
VG-4512CA	156.250000 MHz	JGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
VG-4512CA	157.286400 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
VG-4512CA	153.600000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
VG-4501CA.	122.880000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	CMOS	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included absolute pull range	≤ 25 mA
VG-4232CA	61.440000 MHz	GGC-T	7.00 x 5.00 x 1.40 mm	CMOS	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 35 mA
VG-4513CA	122.880000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
VG-4513CA	122.880000 MHz	GFCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number	Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
X1G0036910115	VG-4512CA	156.250000 MHz	JGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
X1G0036910116	VG-4512CA	157.286400 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
X1G0036910134	VG-4512CA	153.600000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 60 mA
X1G0037710002	VG-4501CA.	122.880000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	CMOS	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included absolute pull range	≤ 25 mA
X1G0039210002	VG-4232CA	61.440000 MHz	GGC-T	7.00 x 5.00 x 1.40 mm	CMOS	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 35 mA
X1G0041411001	VG-4513CA	122.880000 MHz	GGCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
X1G0041411002	VG-4513CA	122.880000 MHz	GFCT	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA

          如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到進(jìn)口晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4232CA晶振,X1G0039210002晶振

       有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

       機(jī)械處理:當(dāng)7050晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

          晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4232CA晶振,X1G0039210002晶振

       適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過智能手機(jī)有源晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

       如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致金屬面晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

       此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過7050mm六腳貼片晶體電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

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