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EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

頻率:1~75MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只石英晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
訂購熱線:0755-27837162
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       愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品2520晶振被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

       EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數碼映像領域的全球領先企業.愛普生集團通過富有創新和創造力的文化,提升企業價值,致力于為客戶提供數碼影像創新技術和解決方案.愛普生拓優科夢是一家專業從事晶體元件的廠商,愛普生拓優科夢(Epson — yocom)運用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實現精微化、高精度、高品質的綜合技術,提出“3D戰略”究極應用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學元器件.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振,晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。

       2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.

愛普生晶振規格

SG-210STF晶振

驅動輸出

CMOS

常用頻率

2.375~60MHZ

工作電壓

+1.6~3.6V (代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

靜態電流

(工作時)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負載

10kΩ//10pF) ±10

常規溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0039510010 SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510011 SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510013 SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510014 SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0041710002 SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710005 SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710006 SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710007 SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

       機械振動的影響:當OSC振蕩器產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

       晶振產品使用每種產品時,請在金屬面晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 

       晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英進口晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

          測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

20181212163902

       驅動能力:驅動能力說明四腳貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).

20181212163938

         振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在智能手機晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。

      接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過無線藍牙貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。

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聯系人:茹紅青

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小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
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金洛鑫產品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

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SMDcrystal

諧振器濾波器
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溫補晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

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AtomizationPiece

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