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愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
頻率：125.000MHz
尺寸：3.2*2.5*1.05mm
晶振技術參數點擊下載
愛普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據了中國市場進口晶25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據80％的手機行業晶振類別,產品本身特點是體積小,耐高溫,穩定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.
愛普生拓優科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現員工人數:1500人.主要從事壓電石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。
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愛普生溫補晶振規格 |
SG3225VAN晶振 |
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溫補晶振頻率 |
73.500MHz~700.000MHz |
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常用標準頻率 |
100MHz,125MHz,133MHz,156.25MHz,200MHz,700MHz |
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工作電壓 |
+2.5V~+3.3V （代表値） |
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靜態電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-20℃～+70℃ |
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±50×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
X1G0042410001晶振系列原廠編碼：
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Frequency | LxWxH |
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Ope Temperature |
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Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410001 | SG3225VAN | 125.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410002 | SG3225VAN | 125.006250 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410004 | SG3225VAN | 100.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410005 | SG3225VAN | 200.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410006 | SG3225VAN | 400.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410007 | SG3225VAN | 106.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410008 | SG3225VAN | 212.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410009 | SG3225VAN | 74.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410010 | SG3225VAN | 148.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410011 | SG3225VAN | 75.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410012 | SG3225VAN | 150.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410014 | SG3225VAN | 156.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410015 | SG3225VAN | 312.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410016 | SG3225VAN | 312.515625 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |
愛普生SG3225VAN差分晶振系列型號規格表：
表面安裝型晶體單元的安裝
（1）嚴重的溫度變化在長時間和反復的嚴重溫度變化下焊料可能會破裂;這是由于擴張造成的印刷線路板的溫度系數不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預期會出現這種情況并避免此類問題。
（2）自動安裝引起的沖擊
請注意，在超小型石英晶振自動安裝過程中，此類過程作為吸附，夾緊或安裝到電路板上，可以對晶體單元施加太大的機械沖擊，并且電氣特性可能會改變或惡化。
（3）彎曲PC板引起的應力
如果3225車載振蕩器焊接到PC板后，則電路板是彎曲，機械應力可能導致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
（4）接地端子
如果晶體單元配有接地端子，請確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地，可能無法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
晶體單元的焊接溫度條件是旨在允許同時處理其他電子元件，但取決于產品類型條件可能受到限制。確認使用前的條件。基本上，超聲波清洗助焊劑允許，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質的影響
當晶體單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。
驅動能力：驅動能力說明LVDS晶振所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，差分晶體振蕩器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過差分晶振的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
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