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愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
頻率：100.000MHz
尺寸：5.0*3.2*1.0mm
晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載
愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體振蕩器,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
愛普生以提供原子鐘的時(shí)鐘晶體知名業(yè)界。在電子部件幅員中,2008年石英振蕩器(包括Cystral和OSC)的市場規(guī)模僅約為半導(dǎo)體(約2600億美元)的2%(約50億美元)不到,算是利基市場,也因此身為其間的指導(dǎo)廠商,EPSON(Epson Toyocom的營業(yè)額高達(dá)800億日圓)最大的希望是要讓石英部件產(chǎn)業(yè)更上一層樓;并期許自身的目的是要從Leading No.1增長到Unique1。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振.差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn), 差分晶振的頻率相對都比較高,差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是愛普生晶振目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
|
愛普生晶振 |
標(biāo)示 |
SG5032VAN晶振 |
晶振基本信息對照表 |
|
標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
73.500MHz~700.000MHz |
|
|
電源電圧 |
Vcc |
＋2.5V~＋3.3V |
|
|
輸出電流 |
Icc |
3.5mA max. |
Vcc=3.3V |
|
頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF |
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|
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±20、30、50×10-6 max.
|
初期偏差、 |
|
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
|
對稱 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
|
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90% |
X1G0042610001晶振系列原廠編碼規(guī)格表：
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Symmetry
X1G0042610001
SG5032VAN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610002
SG5032VAN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610003
SG5032VAN
125.006250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610005
SG5032VAN
200.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610006
SG5032VAN
156.250000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610007
SG5032VAN
400.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610008
SG5032VAN
106.250000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610009
SG5032VAN
212.500000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610010
SG5032VAN
74.250000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610011
SG5032VAN
148.500000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610012
SG5032VAN
75.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610013
SG5032VAN
150.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
愛普生SG5032VAN晶振同類型型號表：
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致六腳石英晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致5032貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞六腳貼片5032晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于差分石英晶振的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右，僅供參考。
此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。愛普生差分晶振振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。
振蕩補(bǔ)償:除非在LVDS差分晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
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