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泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：7.0*1.5*0.5mm,8.0*3.8*2.54mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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泰藝石英晶振公司自公司成立以來,秉持對(duì)環(huán)境保護(hù)承諾之宣言：『還給后代一個(gè)干凈的地球』,所有活動(dòng)應(yīng)遵從以下政策：
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設(shè)計(jì)階段至成品完成后之服務(wù)即應(yīng)考察該產(chǎn)品對(duì)環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會(huì)造成污染之原物料及制程；對(duì)污染之防治應(yīng)從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導(dǎo)原則.
2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時(shí),應(yīng)管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進(jìn)并制定預(yù)防方案或是降低污染量,水電等消耗性（能）資源使用,應(yīng)從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達(dá)成節(jié)約能源之目標(biāo).
3.公司所有活動(dòng)皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好SMD晶振綠色設(shè)計(jì)與生產(chǎn)以及污染預(yù)防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對(duì)整體環(huán)境沖擊的影響,實(shí)施相關(guān)預(yù)防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實(shí)與維護(hù)環(huán)境保護(hù),響應(yīng)全球環(huán)保運(yùn)動(dòng).
4.藉由環(huán)境稽核確認(rèn)環(huán)境改善績(jī)效,使公司所有活動(dòng)過程均能達(dá)成環(huán)境目標(biāo)及標(biāo)的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻(xiàn)愛護(hù)地球的一份心力.7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

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泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振.小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,智能手機(jī),智能手環(huán),家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.32.768K系列晶振具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性.
泰藝石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)：比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±3ppm之內(nèi).

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泰藝晶振規(guī)格	單位	XN晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.1μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	9pF、12.5PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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XN 6914 XN 8038

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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞無源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果32.768K手機(jī)晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

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