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泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

頻率：12.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.65mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.

訂購熱線：0755-27837162

臺灣泰藝電子成立于民國89年3月,前身為泰電電業(yè)股份有限公司電子部（民國65年設立）,是一家專業(yè)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振頻率控制元件制造商.部分核心技術是臺灣業(yè)界的領先者,近年來陸續(xù)取得石英相關制造技術專利；未來將持續(xù)加強開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領導者之目標邁進.
為追求生產(chǎn)綠色產(chǎn)品之目標,將環(huán)保理念納入采購流程中,采購人員于收集市場資訊時,優(yōu)先提供符合「泰藝電子無有害物質管理作業(yè)標準」之材料相關資訊予產(chǎn)品設計人員參考,并依其要求提供符合規(guī)范之樣品與規(guī)格.原材物料承認時,采購人員須請供應商填寫公司提供之問卷表單及相關RoHS檢測報告,經(jīng)原材物料相關審驗單位審查通過后,方可使用.12M臺灣進口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振.3225mm體積的金屬面四腳SMD晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
泰藝貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

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泰藝晶振規(guī)格	單位	XX晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12.000MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10-300μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^-6 (標準), (±5 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-40°C ~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	20PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致臺灣晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。12M臺灣進口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明3225mm貼片晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。12M臺灣進口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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