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富士晶振,貼片晶振,FSX-2M晶振,進(jìn)口諧振器

頻率：13.560MHz~50.000MHz

尺寸：2.5*2.0*0.55mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

富士晶振,貼片晶振,FSX-2M晶振,進(jìn)口諧振器.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

富士的COM有限公司20項(xiàng)，成為其在2013年20周年會(huì)，管理理念和“誠信行動(dòng)”“大膽挑戰(zhàn)”，“社會(huì)貢獻(xiàn)”，即滿足客戶需求的產(chǎn)品，服務(wù)的報(bào)價(jià)始終牢記，戶，公事公辦，我們將以員工和共存共榮。的基礎(chǔ)上，除了石英晶體振蕩器裝置的LED照明，晶體管，也開始處理高電壓的薄膜電容器，軟件開發(fā)從2013年開始，它是未來有線，它的無線通信設(shè)備的商業(yè)化也瞄準(zhǔn)。

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性無源晶振元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。富士晶振,貼片晶振,FSX-2M晶振,進(jìn)口諧振器

富士晶振	單位	FSX-2M晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	13.560MHz~50.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100mW Max.	推薦:10mW
頻率公差	f_— l	±10~±50× 10-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±10~±50× 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10PF~20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

FSX-2M 2520

1.電動(dòng)搬運(yùn)
1.1電源
使用電源將電源連接到指定的終端正確的極性，如本目錄所示。如果力量源與正極和負(fù)極連接反轉(zhuǎn)或者如果它連接到除了以外的終端指定一個(gè)，有源晶振內(nèi)的部件將是損壞了，振蕩器不起作用。此外，如果施加高于額定值的電壓，它可能會(huì)導(dǎo)致與上述相似的損害。使一定要在正確的額定電壓下使用振蕩器，但如果施加低于額定值的電壓，內(nèi)部零件振蕩器不會(huì)損壞，單位可能不會(huì)給最佳性能。富士晶振,貼片晶振,FSX-2M晶振,進(jìn)口諧振器
1.2負(fù)載阻抗
設(shè)置負(fù)載阻抗的規(guī)定值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)被設(shè)置為負(fù)載阻抗，輸出頻率和輸出電平不符合指定的值，可能會(huì)導(dǎo)致問題，例如輸出波形失真。特別是，設(shè)置電抗根據(jù)規(guī)格的負(fù)載阻抗。
1.3輸出頻率和輸出電平
測量輸出頻率或輸出電平時(shí)一個(gè)進(jìn)口晶體振蕩器，調(diào)整輸入阻抗測量儀器對晶體的負(fù)載阻抗振蕩器。當(dāng)測量儀器的輸入阻抗為不同于晶體振蕩器的負(fù)載阻抗，用高電平測量輸出頻率或輸出電平阻抗使測量側(cè)的阻抗可以忽略。
2.機(jī)械處理
2.1沖擊
不要對晶體振蕩器施加任何強(qiáng)烈沖擊。攜帶振蕩器或?qū)⑵浒惭b在另一個(gè)振蕩器上時(shí)設(shè)備，保護(hù)設(shè)備免受任何沖擊，小心不要放下它或用堅(jiān)硬的物體擊打它。強(qiáng)烈沖擊可能會(huì)導(dǎo)致可能會(huì)損壞進(jìn)口貼片晶振內(nèi)部的部件導(dǎo)致振蕩器無法工作。如果振蕩器受到強(qiáng)烈沖擊，請確保在使用之前檢查其特性。

石英4腳貼片晶振,49S無源進(jìn)口晶振,CX406晶振

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對進(jìn)口富士晶體振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。

接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

石英4腳貼片晶振,49S無源進(jìn)口晶振,CX406晶振

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明2520手機(jī)晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

石英4腳貼片晶振,49S無源進(jìn)口晶振,CX406晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過2520貼片石英晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.