国产精品综合不卡av,av电影在线观看完整版一区二区,91美女片黄在线

當(dāng)前位置：首頁 » 石英晶振 » 富士晶振 » 富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振

prevnext

富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振

頻率：13.560MHz~50.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.35mm

小體積貼片2016超小型石英晶體,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
富士晶振公司主要以時鐘晶體，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開發(fā)，在于2013年開始處理,軟件的開發(fā),今后在有線、無線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。富士的COM有限公司20項，成為其在2013年20周年會，管理理念和“誠信行動”“大膽挑戰(zhàn)”，“社會貢獻(xiàn)”，即滿足客戶需求的產(chǎn)品，服務(wù)的報價始終牢記，戶，公事公辦，我們將以員工和共存共榮。
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

富士晶振	單位	FSX-2MS晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	13.560MHz~50.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	10-100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±30~±50×10-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30~±50×10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10PF~20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

金屬4腳石英晶振,無源進(jìn)口3225晶體,CX325晶振

1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時，請放置一個約0.01的旁路電容μF，介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）。
2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器
（1）安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有晶體時鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料，焊接的圓角部分可能會破裂，如果受到影響長時間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化。你在這樣的條件下，建議情況是這樣的事先檢查過。
（2）通過自動安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)有源晶體被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發(fā)生指定值板，振蕩器的特性會改變或惡化。
（3）板彎曲應(yīng)力
將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板，彎曲板可能會導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂。
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）。但是，如果錯誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄，為確保最佳性能，建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它。
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素。因此，在一個環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝。
5.耐高溫
關(guān)于貼片振蕩器耐高溫性，使用產(chǎn)品時在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時，產(chǎn)品的所有特點無法保證。要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi)。
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時，低電源電壓建議使用（例如2.5V，1.8V，1.5V或0.9V）。此外，請事先咨詢我們有關(guān)的組合針對上述EMI的兩種對策。
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等，該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會發(fā)生共振斷裂。在超聲波清潔之前，請務(wù)必檢查條件。富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振

高性能晶振諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量進(jìn)口石英水晶振動子振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

此外，2016封裝晶體諧振器振蕩頻率與測量點不同。1、測量緩沖輸出2、振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

金屬4腳石英晶振,無源進(jìn)口3225晶體,CX325晶振

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振

金屬4腳石英晶振,無源進(jìn)口3225晶體,CX325晶振