因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優科夢把半導體（IC）稱之為“產業之米”,并認為石英晶體元器件更是離不開的“產業之鹽”.將進一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.

愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比出色的產品.最適用于HDD, SSD, USB數碼產品,播放器、數碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振,智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等數碼產品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032VAN	122.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	153.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	307.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	614.400000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	125.006250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0042610106	SG5032VAN	122.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610107	SG5032VAN	153.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610108	SG5032VAN	307.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610109	SG5032VAN	614.400000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710001	SG5032EAN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710002	SG5032EAN	125.006250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710004	SG5032EAN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710005	SG5032EAN	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

金屬面晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存5032晶體時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至貼片進口晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。EPSON晶體,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量日本晶體振蕩器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝六腳貼片晶振在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。

接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過5032貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。