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358L1600B5C2T差分輸出晶振,CTS西迪斯晶振,358L表面貼裝晶振

頻率：160 MHz

尺寸：5.00mm x 3.20mm

358L1600B5C2T差分輸出晶振,CTS西迪斯晶振,358L表面貼裝晶振

CTS西迪斯作為全球領先的頻率控制解決方案提供商,其358L系列晶振憑借卓越的性能與可靠的品質,在通信,工業自動化,航空航天等領域備受青睞.該系列涵蓋差分輸出晶振,表面貼裝晶振等多個品類,其中358L1600B5C2T差分輸出晶振作為代表性型號,集成了差分信號傳輸,高精度頻率控制與小型化設計等核心優勢,為高端電子設備提供穩定,純凈的時鐘基準,彰顯了CTS石英晶振在頻率控制領域的技術積淀與創新能力

訂購熱線：0755-27837162

358L1600B5C2T差分輸出晶振,CTS西迪斯晶振,358L表面貼裝晶振

358L1600B5C2T差分輸出晶振:該型號以差分輸出為核心特色,支持LVDS,LVPECL貼片晶振等主流差分信號標準,輸出信號具有抗共模干擾能力強,傳輸距離遠,時序精度高等優勢.其標稱頻率精準穩定,能為高速數字電路(如10G以太網接口,PCIe4.0總線)提供同步時鐘,減少信號傳輸過程中的噪聲干擾與衰減.在頻率穩定性方面,358L1600B5C2T在-40℃至85℃的寬溫范圍內,頻率穩定度可控制在±50ppm以內,通過內置的溫度補償電路與精密振蕩模塊,有效抵御溫度波動,電源電壓漂移等外部因素的影響.結構上,該晶振采用緊湊的表面貼裝封裝,尺寸適配高密度PCB板布局,便于自動化SMT焊接工藝,為路由器,基站等設備的小型化設計提供便利.同時,其工作電壓支持3.3V等主流規格,功耗低至50mA,能滿足電池供電設備的續航需求,在便攜式通信終端中表現突出.
CTS西迪斯358L系列晶振技術優勢:358L系列晶振延續了CTS進口石英晶振的嚴苛品控標準,采用高純度石英晶體(純度＞99.999%)作為核心振蕩元件,結合先進的晶體切割工藝(AT切型)與真空鍍膜技術,確保產品具備高Q值(＞5萬)與長期頻率穩定性.系列產品均經過溫度循環,振動(10-2000Hz,10G加速度),沖擊(1000G/0.3ms)等嚴苛環境測試,可靠性符合MIL-STD-883H等國際標準,能在工業級惡劣環境中長時間穩定運行.
此外,該系列支持寬頻率范圍定制(1MHz至1.5GHz),可根據客戶需求提供差分輸出或單端輸出模式,適配不同系統的接口標準,降低設計適配難度.其低相位噪聲特性(10kHz頻偏下典型值≤-140dBc/Hz)與低抖動性能(RMS抖動≤5ps),能為射頻收發器,高速AD/DA轉換器等對時鐘質量要求極高的器件提供純凈信號,減少數據傳輸誤碼率.
358L表面貼裝晶振的結構與適配性:358L系列表面貼裝晶振采用高強度陶瓷封裝,具備良好的密封性與抗電磁干擾能力,能有效屏蔽外部射頻干擾(如電機,變壓器產生的電磁輻射).封裝尺寸涵蓋3.2mm×2.5mm,5.0mm×3.2mm等規格,最小厚度僅1.2mm,可滿足智能手機,物聯網終端等小型化設備的空間需求.
該系列晶振支持無鉛回流焊工藝(焊接溫度260℃/10s),焊盤設計優化了熱傳導效率,減少焊接過程中的溫度應力對晶體性能的影響.同時,其引腳布局適配自動化貼裝設備的定位精度要求,降低生產過程中的誤差率,提升批量生產的一致性.

358L1600B5C2T差分輸出晶振,CTS西迪斯晶振,358L表面貼裝晶振

原廠型號 Original model ：	358L1600B5C2T	品牌 brand ：	CTS晶振
Manufacturer品牌	CTS晶振	Operating Temperature溫度	-20°C ~ 70°C
Series型號	358L	Current - Supply (Max)	-
Type 類型	VCXO	Package Height高度	1.3 mm
Frequency 頻率	160 MHz	Termination 腳位	6 pad
輸出方式 Output：	LVDS差分晶振	Package Type 封裝類型	6-SMD
Voltage - Supply電壓	2.5V	Packaging 包裝	Tape and Reel
Frequency Stability頻率穩定度	±25ppm	安裝方式 Installation ：	Surface mount
Size / Dimension 尺寸	5.00mm x 3.20mm	最小包裝數 MPQ ：	1000

358L1600B5C2T差分輸出晶振,CTS西迪斯晶振,358L表面貼裝晶振

315LB3C1000T	CTS	315	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
315LB3C1228T	CTS	315	VCXO	122.88 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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315LB3I1000T	CTS	315	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
315LB3I1228T	CTS	315	VCXO	122.88 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
315LB3I1250T	CTS	315	VCXO	125 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
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317LB5I1660T	CTS	317	VCXO	166 MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
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317LB6C1660T	CTS	317	VCXO	166 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm	-20°C ~ 70°C
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334C1000B3C3T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
334C1000B3I2T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	2.5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
334C1000B3I3T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
334C1000B4C2T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	2.5V	±30ppm	-20°C ~ 70°C
334C1000B4C3T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±30ppm	-20°C ~ 70°C
334C1000B4I2T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	2.5V	±30ppm	-40°C ~ 85°C
334C1000B4I3T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	3.3V	±30ppm	-40°C ~ 85°C
334C1000B5C2T	CTS	334C	VCXO	100 MHz	HCMOS	2.5V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
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