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西鐵城晶振,貼片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

頻率：13~54MHZ

尺寸：3.2*2.5*0.55mm

3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

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西鐵城精密裝置發揮能力的領域是，小型精密高精度?高精度被要求的功能零部件領域。并且，通過多年建立的獨自的技術，不斷地提供高附加價值的微設備產品。利用時鐘晶振的制作的小型精密零部件的金屬加工技術，從工程設計到加工、組裝、功能測試過程中的生產線和本公司制造加工機的獨自開發，長期供給著小型、高精度的零部件同時，在使用高精度材料的高精度中，效率很好地量產零部件的事也是本公司獨自的核心技術。在材料技術和超精密加工技術，薄膜技術，連接技術，組裝技術等，使石英和水晶等高精度零部件，產生了液晶裝置，傳感裝置等高質量的功能器件產品。特別是，L - COS（Liquid crystal on silicon）采用了鐵電液晶顯示器，已經微高品位相機配備到前進了很高的評價。今后的車載顯示屏和頭部顯示屏等的次世代顯示器系統搭載的可能性很大。
2009年度,根據環境管理體系中的規定,西鐵城晶振集團在其日本國內的所有事業所和海外的所有生產基地中,建立了西鐵城晶振,貼片石英晶體,石英晶體諧振器,西鐵城振蕩子綠色經營活動的框架,通過共享與綠色經營有關的信息,致力于開展有效的和實際效果大的環保活動,并強化企業的管治能力.2006年度,西鐵城晶振在國內外的所有生產據點以及國內的非生產據點——西鐵城制作所總公司、東京分公司、營業所,均取得了ISO14001認證.此后,西鐵城石英晶振努力開展體系整合,并于2007年3月在國內集團的34個據點完成了向ISO14001多站認證的轉變.3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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西鐵城晶振,貼片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振的研磨技術：通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨，使石英晶振的晶片達到（厚度/頻率）的一定范圍。進口石英晶振晶片厚度與頻率的關系為：在壓電晶體行業，生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面，通過理論與實際相結合，累積多年的晶振研磨經驗，通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術，注重貼片晶振研磨過程的各種細節，注重晶振所用精磨研磨設備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設計及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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西鐵城晶振	單位	CS325H晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	13~54MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10~100μW
頻率公差	f_— l	±10× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	16,18pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±1× 10-6 /year Max.	+25°C,第一年

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CS325H JLX-4

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是3225晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：線路連接的電阻（R）與晶體串聯,西鐵城晶振,貼片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果無源晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振
采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。當有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅動后端電路。但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯系我公司SMD石英晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統無法運行，因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

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此外，進口3225貼片晶振振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。西鐵城晶振,貼片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，3225四腳無源晶振使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過麥克風SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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