KDS晶振,石英晶振,DST520晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:4.8*1.9mm
日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發生產:壓電石英水晶制品,石英晶振,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學制品,其主要的產品還是水晶振動子,剛投資建廠時主打產品便是32.768KHZ系列產品.
KDS石英晶振以優良的產品迅速占領了中國市場,KDS品牌以在國內電子元件中深入民心,KDS晶振以專業化系統在全國各地的工廠生產.KDS以高超的晶振生產技術,一流的生產設備,KDS晶振產品價格 “更便宜,更快,更好的產品”,節省勞動力,自動化生產設施的優勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
KDS晶振,石英晶振,DST520晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
KDS石英晶振的切型。采用高速線切割技術:1.優化及嚴格規范線切割機各項設備參數;2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶體諧振器晶片的精度,提高了生產效率。
KDS晶振 |
符號 |
DST520晶振 |
基本信息對照表 |
Crystal標準頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
KDS晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯系我們金洛鑫電子 |
精度 |
f_— l |
±20ppm、±30ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負載電容 |
CL |
7pF~12.5pF |
可按客戶需求指定 |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3×10-6 / year Max. |
+25°C, 第一年 |
PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于石英晶體諧振器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。KDS晶振,石英晶振,DST520晶振
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存無源晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容)。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD產品。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD晶振產品使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。32.768K時鐘晶體,無源石英晶振,DST520晶振
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明兩腳貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在4918mm石英諧振器振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。KDS晶振,石英晶振,DST520晶振
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致大真空貼片諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。32.768K時鐘晶體,無源石英晶振,DST520晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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JLX-PD
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