NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進口石英晶振
頻率:9.75~40MHZ
尺寸:4.9*3.1*0.90mm
NDK晶振集團所處于的事業環境是智能手機市場的擴大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化,使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加。由此,本集團將方針轉換至面向量產市場的產品的再強化上,把均衡縮減戰略切換成成長戰略。并且展開在產業設備、車載、傳感器領域,利用高的品質力和技術力用實力強的產品創造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續的成長和安定的收益,來努力達成銷售額500億日元企業的復活的目標。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
日本NDK晶振集團創造利益,提升企業價值的同時,為了繼續提升企業的價值,我們認為維持經營的透明性,確實盡到對各位股份持有者說明的責任這樣的公司治理的構筑必不可少,我們把其放在經營最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理石英晶振準則,由此我們迎來了兩位外部董事。加大強化相關經營監察機能、遵守法律,確保說明責任,迅速且適當地公布信息,履行環境保全等的社會責任,而從使我們能繼續成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業。
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進口石英晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應10.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術:是超小型、超低頻石英貼片晶振晶體元器件研發及生產必須解決的技術問題,為壓電石英晶振行業的技術難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX5032SD晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
9.75MHz~40MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL =500μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶體諧振器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進口石英晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的進口石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。
超聲波清洗:(1)使用AT-切割晶體和表面面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞。(3)請勿清洗開啟式晶振產品(4)對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致5032mm晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進口石英晶振
5032mm石英晶振測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在5032無源晶振的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制智能穿戴設備晶振電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
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