在线视频一区二区三,国产精品成人aaaaa网站,久久久久久91香蕉国产

當前位置：首頁 » 石英晶振 » 愛普生晶振 » EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

prevnext

EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

頻率：2.5~50MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

壓電石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

精工愛普生株式會社（總經理:碓井稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區域深圳總代理簽訂合作協議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產,并且成立研發中心.因為智能手機,以及GPS衛星導航的普及,有源晶振得到迅速的發展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產品型號,愛普生料號等.

愛普生貼片式貼片振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.

愛普生晶振規格	SG7050CCN晶振
驅動輸出	CMOS
常用頻率	2.5~50MHZ
工作電壓	+4.5~+5.5V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG7050CBN

120.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-25 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050CBN

120.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050CBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050CBN

85.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050CCN

4.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

16.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

48.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

11.059200 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0044910026

SG7050CBN

120.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-25 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0044910027

SG7050CBN

120.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0044910028

SG7050CBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0044910029

SG7050CBN

85.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 11.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0045010001

SG7050CCN

4.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045010003

SG7050CCN

16.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045010004

SG7050CCN

48.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

機械振動的影響:當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管OSC晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

晶振產品使用每種產品時,請在貼片晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了7050晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

振蕩補償:除非在MHZ系列振蕩器振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在高精度貼片有源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

適當的控制電阻值（RD）取決于的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7050振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內-33pF左右，僅供參考。