當前位置：首頁 » 技術支持 » BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產品的研發與生產

BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產品的研發與生產

來源：金洛鑫瀏覽：- 發布日期：2025-09-22 09:39:54【大中小】

分享到：

BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產品的研發與生產
什么是SMD晶體和振蕩器SMD晶體,即表面貼裝晶體,是一種基于石英晶體壓電效應工作的電子元件.當在進口石英晶體的兩個電極上施加電場時,晶體會產生機械振動,反之,當晶體受到機械應力作用時,電極兩端又會產生電場,這種可逆的物理現象使得石英晶體能夠產生穩定的振蕩頻率.將這種振蕩頻率信號作為基準時鐘,廣泛應用于各類電子設備中,為設備內的數字電路,微處理器等提供精準的時間參考,確保各個部件按照既定的節奏協同工作.振蕩器則是一種能夠將直流電能轉換為具有特定頻率交流電能的電子裝置.在電子系統里,它的主要職責是產生周期性的電信號,這些信號如同指揮家手中的指揮棒,為整個電子設備的運行提供穩定的時鐘信號,讓設備各部分有條不紊地執行任務.而SMD振蕩器,正是采用了表面貼裝技術的振蕩器,其具備體積小巧,易于安裝等特性,能夠很好地滿足現代電子設備小型化,輕薄化的設計需求.

SMD技術的優勢,在當今電子設備追求輕薄便攜,高性能的趨勢下,SMD技術憑借眾多顯著優勢脫穎而出,成為電子元件制造領域的關鍵技術之一.小型化與輕量化是SMD技術最直觀的優勢體現.傳統的插件式元件通常體積較大,且需要占用較多的電路板空間.而SMD元件通過直接貼裝在印刷電路板(PCB)表面,無需額外的引腳插入孔,極大地減小了元件的體積和重量,使電子設備在實現相同功能的前提下,體積可以大幅縮小,重量也顯著減輕.以智能手機晶振為例,內部眾多采用SMD技術的芯片,電容,電阻等元件,使得手機能夠在有限的空間內集成豐富的功能,同時保持輕薄的外觀,方便用戶攜帶與使用.除了小型化與輕量化,SMD技術還具備高性能優勢.由于SMD元件的引腳較短甚至無引腳,信號傳輸路徑大大縮短,這有效減少了信號傳輸過程中的損耗,干擾和延遲,使得電子設備在處理高速信號和高頻信號時表現更為出色.在5G通信設備中,對信號的傳輸速度和穩定性要求極高,SMD技術能夠確保信號在電路板上快速,準確地傳輸,滿足5G網絡對高速數據處理的需求.SMD技術還具有易于自動化生產的特點.在大規模生產過程中,貼片機等自動化設備能夠快速,精準地將SMD元件貼裝到PCB板上,極大地提高了生產效率,降低了人工成本,同時也減少了因人工操作而產生的誤差,提高了產品的一致性和質量可靠性.在汽車電子領域,大量使用SMD元件的電子控制單元(ECU),通過自動化生產工藝,能夠保證產品質量的穩定性,滿足汽車行業對零部件高可靠性的嚴格要求.

BomarCrystal的專注領域
豐富的產品線:BomarCrystal憑借在電子元件領域深厚的技術積累和對市場需求的敏銳洞察,構建了豐富且多元化的SMD晶體和振蕩器產品線.其產品涵蓋了多種不同尺寸和頻率范圍,以滿足各類電子設備在設計和性能上的多樣化需求.在SMD晶體方面,從較大尺寸的如7.0mm×5.0mm,到超微型的1.6mm×1.2mm甚至更小尺寸,BomarCrystal都有對應的產品系列.不同尺寸的晶體適用于不同空間布局和性能要求的電子設備.較大尺寸的晶體可能在穩定性和功率承載方面表現出色,適合應用于對頻率穩定性要求極高且空間相對充裕的工業設備和通信基站等,而超微型晶體則憑借其小巧的體積,能夠滿足可穿戴設備,小型傳感器等對空間要求極為苛刻的產品需求,使這些設備在實現高性能的同時,保持小巧便攜的外觀設計.BomarCrystal的SMD晶體頻率范圍也十分廣泛,覆蓋了從低頻的32.768KHz晶振到高頻的60MHz甚至更高頻率.32.768KHz的晶體常被用于實時時鐘電路,為電子設備提供精準的時間基準,確保設備的時鐘功能穩定運行,如在智能手表,手機等設備中,準確的時間顯示離不開這一頻率的晶體支持,而高頻晶體則在高速數據傳輸和處理的設備中發揮關鍵作用,像5G通信模塊,高速處理器等,高頻晶體能夠提供更高的時鐘頻率,滿足設備對快速數據處理和高速信號傳輸的需求.對于振蕩器產品,BomarCrystal同樣提供了全面的選擇.包括普通振蕩器(XO),溫度補償振蕩器(TCXO),壓控振蕩器(VCXO)和恒溫振蕩器(OCXO)等不同類型.普通振蕩器適用于對成本較為敏感且對頻率穩定性要求不是特別苛刻的一般性電子設備,如一些簡單的消費電子產品,溫度補償振蕩器則通過內置的溫度補償電路,能夠有效減小溫度變化對頻率的影響,在環境溫度變化較大的應用場景中表現出色,如戶外通信設備,汽車電子等,壓控振蕩器的輸出頻率可以通過外部電壓進行調節,常用于需要靈活調整頻率的通信和測試設備中,恒溫振蕩器則采用恒溫控制技術,將晶體置于恒溫環境中,以獲得極高的頻率穩定性,主要應用于對頻率精度要求極高的高端通信,航空航天和精密測量等領域.
滿足多元需求
BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器產品憑借其卓越的性能和豐富的規格,廣泛應用于通信,消費電子,汽車電子,工業控制,醫療設備等眾多領域,滿足了不同行業對電子元件的多元化需求.在通信領域,無論是5G基站,智能手機,平板電腦,還是衛星通信設備,都對信號的穩定性,傳輸速度和頻率精度有著極高的要求.BomarCrystal的高頻SMD晶體和高精度振蕩器,能夠為通信設備晶振提供穩定且精準的時鐘信號,確保數據的快速,準確傳輸.在5G基站中,需要高精度的振蕩器來保證信號的同步和穩定性,BomarCrystal的產品能夠滿足這一嚴格要求,助力5G網絡實現低延遲,高帶寬的通信服務,在智能手機中,SMD晶體和振蕩器為手機的射頻電路,處理器等提供時鐘信號,保障手機在通話,上網,數據處理等各種功能下的穩定運行.消費電子市場是SMD晶體和振蕩器的重要應用領域之一.隨著消費者對電子產品功能多樣化和小型化的追求,消費電子產品內部需要集成更多高性能的電子元件.BomarCrystal的超微型SMD晶體和低功耗振蕩器,完美契合了消費電子產品的發展趨勢.在智能手表中,小巧的SMD晶體和低功耗振蕩器不僅為手表的各種功能提供了穩定的時鐘信號,還能夠有效降低功耗,延長電池續航時間,在無線耳機中,BomarCrystal的產品確保了音頻信號的穩定傳輸和處理,為用戶帶來高品質的音樂體驗.
汽車電子領域對電子元件的可靠性和穩定性要求極為嚴苛,因為汽車在行駛過程中會面臨各種復雜的環境條件,如高溫,低溫,震動,電磁干擾等.BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器經過嚴格的質量檢測和可靠性測試,能夠在惡劣的汽車環境中穩定工作.它們被廣泛應用于汽車的發動機控制系統,車載娛樂系統,自動駕駛輔助系統等.在發動機控制系統中,精準的時鐘信號能夠確保噴油,點火等關鍵操作的精確控制,提高發動機的性能和燃油經濟性,在自動駕駛輔助系統中,穩定的時鐘信號對于傳感器數據的采集和處理至關重要,直接關系到駕駛的安全性.
在工業控制領域,BomarCrystal的產品為各類工業設備提供了穩定的時鐘基準,確保設備的自動化生產和精準控制.無論是自動化生產線,機器人控制系統,還是工業儀表,都離不開SMD晶體和振蕩器的支持.在自動化生產線中,設備需要按照精確的時間節奏協同工作,BomarCrystal的產品能夠保證各設備之間的同步運行,提高生產效率和產品質量,在工業儀表中,高精度的時鐘信號能夠確保測量數據的準確性和可靠性,為工業生產提供可靠的數據支持.醫療設備關乎人們的生命健康和安全,對電子元件的性能和可靠性要求極高.BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器以其高穩定性和高精度,在醫療設備領域發揮著重要作用.在醫療監護設備中,如心電圖機,血壓監測儀等,穩定的時鐘信號能夠確保數據的準確采集和實時傳輸,為醫生的診斷提供可靠依據,在醫療成像設備中,如核磁共振成像(MRI),計算機斷層掃描(CT)等,高精度的振蕩器對于圖像的清晰成像至關重要.

研發與生產實力
技術創新BomarCrystal始終將技術創新視為企業發展的核心驅動力,在研發領域持續投入大量的人力,物力和財力.公司匯聚了一批來自電子工程,材料科學等多領域的頂尖專業人才,他們憑借深厚的專業知識和豐富的行業經驗,組成了一支極具創新活力的研發團隊.在材料創新方面,研發團隊不斷探索新型材料在SMD晶體和振蕩器中的應用.他們深入研究各種石英晶體材料的特性,通過對材料的物理和化學性質進行精確調控,開發出具有更高品質因數(Q值)和更低溫度系數的新型石英材料.這種新型材料的應用,顯著提高了SMD晶體的頻率穩定性和抗干擾能力,使其在復雜的電磁環境和溫度變化條件下,依然能夠保持穩定的性能.在5G基站的高頻通信環境中,BomarCrystal采用新型材料的SMD晶體,能夠有效減少信號干擾和頻率漂移,確保通信信號的穩定傳輸.制造工藝的改進也是BomarCrystal技術創新的重要方向.研發團隊引入先進的光刻技術,微機電系統(MEMS)技術和納米制造技術,對生產工藝進行全面升級.在SMD晶體的制造過程中,通過光刻技術能夠實現更高精度的電極圖案制作,減少電極間的寄生電容和電阻,提高晶體的電氣性能,MEMS技術則用于制造高精度的微型諧振器,使SMD晶體的體積進一步縮小,同時提高了生產效率和產品一致性,納米制造技術的應用,能夠在晶體表面形成納米級的薄膜涂層,改善晶體的表面質量和化學穩定性,增強其抗腐蝕和抗老化能力.
BomarCrystal還積極與國內外知名科研機構和高校建立長期合作關系,共同開展前沿技術研究和產學研合作項目.通過與這些科研力量的緊密合作,BomarCrystal能夠及時了解行業的最新技術動態和研究成果,將高校和科研機構的理論研究成果快速轉化為實際生產力,推動公司技術創新的不斷發展.與某高校合作開展的關于新型壓電材料在SMD晶體中應用的研究項目,成功開發出一種具有更高壓電常數的材料,應用于BomarCrystal的產品中,有效提高了產品的性能和競爭力.生產工藝與質量控制BomarCrystal擁有一套先進且完善的生產工藝流程,從原材料采購到最終產品出廠,每一個環節都嚴格遵循國際標準和行業規范,確保產品的質量和性能達到最優.在原材料采購環節,BomarCrystal建立了嚴格的供應商篩選和評估體系,只選擇符合高質量標準的原材料供應商.對于石英晶體等關鍵原材料,會進行嚴格的質量檢測,包括材料的純度,晶體結構完整性,壓電性能等指標的檢測,確保原材料的質量穩定性和一致性,為后續的生產加工奠定堅實的基礎.
生產過程中,BomarCrystal采用全自動化的生產設備和先進的制造工藝,以提高生產效率和產品精度.在SMD晶體的切割,研磨,鍍膜等工序中,自動化設備能夠精確控制加工參數,保證產品尺寸的高精度和一致性.在晶體切割工序中,采用高精度的數控切割機,能夠將晶體切割誤差控制在微米級,確保晶體的諧振頻率精度,在鍍膜工序中,利用先進的物理氣相沉積(PVD)技術,能夠在晶體表面均勻地鍍上一層厚度精確控制的金屬薄膜,提高晶體的電氣性能.質量控制是BomarCrystal生產管理的重中之重.公司建立了全面的質量管理體系,從生產過程中的在線檢測到成品的最終檢驗,每一個階段都進行嚴格的質量把關.在生產線上,配備了先進的自動化檢測設備,對每一個生產環節的產品進行實時監測,如晶體的頻率穩定性,諧振電阻,負載電容等關鍵參數的檢測.一旦發現產品參數超出預設的公差范圍,設備會立即發出警報,并自動將不合格產品剔除,確保只有合格的半成品進入下一道工序.
在成品檢驗階段,BomarCrystal采用多種先進的檢測技術和設備,對產品進行全面的性能測試和可靠性驗證.通過高精度的頻率測試儀器,對SMD晶體和振蕩器的輸出頻率進行精確測量,確保頻率精度符合產品規格要求,利用環境模擬試驗設備,對產品進行高溫,低溫,濕度,振動等多種環境應力測試,驗證產品在不同環境條件下的可靠性和穩定性.在高溫試驗中,將產品置于高溫環境下長時間運行,檢測其頻率漂移和性能變化情況,在振動試驗中,模擬產品在運輸和使用過程中可能受到的振動沖擊,檢測產品的機械結構完整性和電氣性能穩定性.BomarCrystal還注重質量數據的收集和分析,通過對生產過程和產品質量數據的深入分析,及時發現潛在的質量問題和生產工藝中的薄弱環節,采取針對性的改進措施,不斷優化生產工藝和提高產品質量.建立了質量追溯系統,對每一個產品的原材料批次,生產工序,生產設備,檢測數據等信息進行詳細記錄,一旦出現質量問題,能夠快速準確地追溯到問題的根源,及時采取召回和改進措施,保障客戶的權益和公司的聲譽.
BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產品的研發與生產

DSC1123CI2-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-200.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-100.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	100MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001CI2-027.0000	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	27MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123CE1-156.2500	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	156.25MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-150.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	150MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-100.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	100MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-312.5000	Microchip有源晶振	DSC1103	MEMS	312.5MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-050.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	50MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-156.2500	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	156.25MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BL2-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI5-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CI5-300.0000	Microchip有源晶振	DSC1103	MEMS	300MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DL5-200.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123NL5-100.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	100MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
MX574BBD322M265	Microchip有源晶振	MX57	XO (Standard)	322.265625MHz	HCSL	2.375 V ~ 3.63 V
DSC1001CI2-018.4320	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	18.432MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123CI1-200.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-156.2500	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	156.25MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-300.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	300MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI1-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CE1-125.0000	Microchip有源晶振	DSC1122	MEMS	125MHz	LVPECL	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-200.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CI1-075.0000	Microchip有源晶振	DSC1103	MEMS	75MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-150.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	150MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI1-200.0000	Microchip有源晶振	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC557-0344SI1	Microchip有源晶振	DSC557-03	MEMS	100MHz	HCSL	2.25 V ~ 3.6 V
DSC6003CI1A-033.0000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	33MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6111CI1A-008.0000	Microchip有源晶振	DSC6100	MEMS	8MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6011JI1A-024.0000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	24MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6083CI2A-032K800	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	32.8kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6083CI2A-307K000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	307kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6001CI2A-004.0000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	4MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6001CI2A-032.0000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	32MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6083CI2A-250K000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	250kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6083CI2A-002K000	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	2kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC6101JI2A-024.0000	Microchip有源晶振	DSC6100	MEMS	24MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC1001CC1-047.3333	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	47.3333MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1030BC1-008.0000	Microchip有源晶振	DSC1030	MEMS	8MHz	CMOS	3V
DSC1001BC1-024.0000	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	24MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033BC1-026.6000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	26MHz	CMOS	3.3V
DSC1001DI1-001.8432	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	1.8432MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033CI1-048.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	48MHz	CMOS	3.3V
DSC1033CI1-024.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	24MHz	CMOS	3.3V
DSC1033DI1-012.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	12MHz	CMOS	3.3V
DSC1033DI1-036.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	36MHz	CMOS	3.3V
DSC1001CI1-027.0000	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	27MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033CI1-050.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	50MHz	CMOS	3.3V
DSC6001CI1A-011.0592	Microchip有源晶振	DSC60XX	MEMS	11.0592MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V
DSC1001CI2-024.0000	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	24MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033BE2-024.0000	Microchip有源晶振	DSC1033	MEMS	24MHz	CMOS	3.3V
DSC1001DI2-038.4000	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	38.4MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-033.3333	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	33.3333MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101DM2-012.0000	Microchip有源晶振	DSC1101	MEMS	12MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DE5-018.4320	Microchip有源晶振	DSC1001	MEMS	18.432MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101AI2-040.0000	Microchip有源晶振	DSC1101	MEMS	40MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101AI2-080.0000	Microchip有源晶振	DSC1101	MEMS	80MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101AI2-064.0000	Microchip有源晶振	DSC1101	MEMS	64MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI5-100.0000	Microchip有源晶振	DSC1124	MEMS	100MHz	HCSL	2.25 V ~ 3.6 V

下一篇：Microchip的JANSPowerMOSFET解鎖太空可靠性新高度上一篇：Pletronics普銳特MEM產品與傳統石英產品的對比分析

您好，歡迎踏入金洛鑫電子有限公司

金洛鑫電子

BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產品的研發與生產

“推薦閱讀”

相關技術支持

最新資訊文章