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ECS數據中心與晶體振蕩器重塑網絡架構的黃金搭檔

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發布日期:2025-10-30 09:22:31【
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ECS數據中心與晶體振蕩器重塑網絡架構的黃金搭檔
在數字化浪潮洶涌澎湃的當下,ECS數據中心正逐漸成為推動網絡架構變革的核心力量.ECS,即彈性計算服務(ElasticComputeService),是一種基于云計算技術的虛擬化計算資源服務.它在數據中心內,通過對物理服務器的CPU,內存,存儲,網絡等硬件資源進行虛擬化抽象,為用戶提供靈活,可擴展的虛擬服務器.用戶只需上傳自己的操作系統鏡像,就能快速擁有屬于自己的服務器系統晶振,如同在云計算的"大工廠"中定制生產個性化的計算單元.從誕生之初,ECS數據中心就被賦予了打破傳統網絡架構束縛的使命.傳統網絡架構,如同精心規劃但略顯陳舊的城市交通系統,各個節點和鏈路的功能與連接方式相對固定,擴展和調整起來困難重重,如同在老城區狹窄的街道上拓寬道路一般復雜.而ECS數據中心則像是一座現代化的智慧城市交通樞紐,具備高度的靈活性和可擴展性,能根據業務流量的變化實時調整計算資源的分配,如同智能交通系統根據車流量實時調整信號燈時長和道路通行規則.以電商行業為例,在促銷活動期間,如"雙十一""618"等,網站訪問量會呈指數級增長.在傳統網絡架構下,為了應對這些短暫的流量高峰,企業需要提前購置大量物理服務器,活動結束后,這些服務器又會處于閑置狀態,造成資源的極大浪費.而ECS數據中心則可以在活動前自動增加計算資源,活動結束后迅速回收,實現資源的高效利用.這不僅降低了企業的運營成本,還提高了服務的穩定性和用戶體驗.在2023年"雙十一"期間,某電商平臺基于ECS數據中心,成功應對了每秒數千萬的訪問峰值,交易處理速度比上一年提升了30%,訂單處理成功率達到99.99%,充分展示了ECS數據中心在應對大規模,高并發業務場景時的卓越性能.在內容分發網絡(CDN)領域,ECS數據中心同樣發揮著關鍵作用.CDN的核心在于將內容緩存到離用戶更近的節點,以加快內容的傳輸速度.ECS數據中心能夠根據用戶的地理位置和實時網絡狀況,動態地分配和調整緩存節點的計算資源,確保用戶能夠快速獲取所需內容.比如,當某地區突然出現熱點新聞或熱門視頻時,ECS數據中心可以迅速感知并將相關內容緩存到該地區的節點,使本地用戶能夠流暢地觀看視頻,避免因網絡擁堵導致的卡頓現象.
ECS數據中心推動網絡架構變革的體現
(一)性能提升,ECS數據中心在性能提升方面表現卓越.在硬件層面,它廣泛采用高性能晶體振蕩器網卡,如以太網網卡,InfiniBand網卡等,這些網卡具備高速度,低延遲,高帶寬的顯著特點.以InfiniBand網卡為例,其數據傳輸速率可輕松達到每秒數10GB,相比傳統網卡,傳輸速度提升了數倍,能為數據傳輸提供強大的底層支持.在網絡配置優化上,ECS數據中心也下足了功夫.通過合理調整網絡參數,如最大傳輸單元(MTU)大小,接收窗口大小等,有效提升了網絡性能.當MTU值設置為合適大小時,可減少數據包的分片和重組,從而提高數據傳輸效率.在某大型科研機構的分布式計算項目中,基于ECS數據中心搭建的計算平臺,在調整MTU值后,數據傳輸速度提升了20%,使得原本需要數小時的計算任務,如今可在更短時間內完成.在驅動程序優化方面,不斷改進的網卡驅動程序,能夠更高效地處理數據包,減少中斷處理時間,進一步提升了數據處理能力和傳輸效率.在應用層,采用TCP協議優化,壓縮技術,數據緩存等手段,進一步加快了數據傳輸速度.如通過對TCP協議的擁塞控制算法進行優化,可在網絡擁塞時,更合理地調整數據發送速率,避免數據丟失和重傳,從而保障數據傳輸的穩定性和高效性.
(二)靈活性增強,ECS數據中心借助虛擬化技術,實現了物理資源的邏輯抽象和隔離,為用戶提供了靈活的虛擬計算資源.用戶可根據自身業務需求,在ECS晶振數據中心中快速創建,調整和銷毀虛擬機實例,實現計算資源的按需分配.一家初創的互聯網企業,在業務起步階段,只需租賃少量的虛擬機資源用于網站搭建和簡單業務運營,隨著業務的快速發展,用戶量和業務量急劇增加,企業可在短時間內通過ECS數據中心快速增加虛擬機實例數量,擴展內存和存儲容量,以滿足業務增長的需求;而當業務進入平穩期或收縮期時,又能及時減少資源配置,降低運營成本.軟件定義網絡(SDN)技術的應用,更是讓ECS數據中心的網絡管理如虎添翼.SDN將網絡控制平面與數據平面分離,通過集中式的控制器對網絡流量進行靈活控制.在一個跨地域的企業網絡中,不同分支機構和業務部門對網絡帶寬,訪問權限等有著不同的需求.借助SDN技術,企業可以根據實際業務情況,為不同分支機構和業務部門動態分配網絡帶寬,設置個性化的訪問策略,實現網絡資源的精準分配和管理.對于電商企業的促銷活動,可在活動期間為負責訂單處理和支付的服務器節點分配更多的網絡帶寬,保障交易的順暢進行;而在活動結束后,再將帶寬資源重新分配給其他業務模塊.
(三)可靠性保障,在硬件層面,ECS數據中心采用冗余設計,關鍵組件如電源,網絡設備晶振,存儲設備等都配備了冗余備份.當某個組件發生故障時,冗余組件能立即接管工作,確保系統的正常運行.以服務器電源為例,通常采用雙電源模塊設計,當一個電源出現故障時,另一個電源可繼續為服務器供電,保障服務器的持續運行.在網絡架構方面,采用冗余鏈路和備份機制,如多鏈路備份,環網結構等,確保在單點故障時網絡通信的連續性.在多鏈路備份中,當主鏈路出現故障時,備用鏈路能在極短時間內自動切換,保障數據傳輸的穩定.同時,ECS數據中心還配備了完善的監控和故障檢測系統,實時監測網絡設備和服務器的運行狀態,一旦發現異常,能及時發出警報并啟動相應的故障處理機制.通過定期的數據備份和恢復策略,可確保在數據丟失或損壞時,能夠快速恢復數據,保障業務的正常開展.在金融行業,ECS數據中心為銀行的核心業務系統提供支持,通過這些可靠性保障措施,確保了銀行交易系統的高可用性,即使在面對突發的硬件故障或網絡問題時,也能保障交易的連續性和數據的完整性,有效降低了因故障導致的業務中斷風險和經濟損失.

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晶體振蕩器:幕后的關鍵力量
在電子設備的復雜世界里,晶體振蕩器宛如一位低調卻至關重要的幕后英雄,默默發揮著不可或缺的作用.從我們日常使用的手機,電腦,到支撐現代通信網絡的基站,服務器,晶體振蕩器無處不在,為這些設備提供穩定的頻率源,就如同心臟為人體持續輸送血液一般.晶體振蕩器的工作原理基于石英晶體的壓電效應和諧振特性.石英晶體是其核心部件,當晶體受到機械應力作用時,會在其表面產生電荷,這便是壓電效應;而諧振特性則讓晶體在特定頻率下能夠發生振動.晶體振蕩器主要由石英晶體,放大器和反饋網絡三部分構成.工作時,放大器向石英晶體提供交流電壓,基于壓電效應,晶體在交流電壓作用下產生機械振動.當交流電壓的頻率與晶體的諧振頻率匹配時,晶體發生共振,振動幅度達到最大.此時,反饋網絡將放大后的信號反饋回放大器,維持振蕩的穩定,如此一來,晶體振蕩器便產生了穩定,精確的振蕩信號.以常見的皮爾斯振蕩器為例,它是基于晶體諧振器的負阻抗振蕩器,利用晶體諧振器的負阻抗特性補償放大器的損耗,進而實現穩定振蕩.由于結構簡單,頻率穩定度高,皮爾斯振蕩器在電子設備中得到廣泛應用.在電子設備中,晶體振蕩器提供穩定頻率源的作用舉足輕重.在計算機系統里,CPU的運行速度,內存的讀寫操作等,都依賴于晶體振蕩器產生的穩定時鐘信號.若時鐘信號不穩定,CPU可能出現運算錯誤,內存數據讀寫也會紊亂,整個計算機系統的性能將大幅下降,甚至無法正常工作.在通信設備中,如手機基站和衛星通信系統,晶體振蕩器為信號的調制,解調,傳輸提供精確的頻率基準.以5G通信基站為例,其對頻率穩定性要求極高,晶體振蕩器的頻率偏差需控制在極小范圍內,否則會導致信號干擾,通信質量下降,影響大量用戶的通信體驗.在高精度的測量設備晶振,如原子鐘,頻率計等設備中,晶體振蕩器的穩定頻率源是確保測量結果準確性的關鍵.原子鐘作為目前最精確的計時儀器,其精度依賴于超高穩定度的晶體振蕩器,為科學研究,全球定位系統(GPS)等提供高精度的時間基準,對現代科技的發展起著基礎性的支撐作用.
晶體振蕩器為ECS數據中心網絡架構變革做準備的方式
(一)滿足高速數據傳輸需求,在ECS數據中心,數據如同洶涌的潮水般高速流動,石英晶體振蕩器則是保障這股潮水平穩,有序前行的關鍵力量.其高精度特性是確保數據準確同步和傳輸的基石.在數據傳輸過程中,發送端和接收端需要精確的時鐘信號來協調數據的發送和接收時間,晶體振蕩器憑借其高精度,能夠產生極其穩定的頻率信號,使得發送端和接收端的時鐘誤差被控制在極小范圍內,從而保證數據的準確同步.以100G以太網的數據傳輸為例,數據傳輸速率高達每秒100Gb,如此高速的數據傳輸對時鐘信號的精度和穩定性提出了極高要求.晶體振蕩器的頻率精度通常可達±1ppm(百萬分之一)甚至更高,這意味著在100G以太網的傳輸中,由于時鐘信號偏差導致的數據傳輸錯誤概率極低,幾乎可以忽略不計,從而保障了數據的準確傳輸.低相位噪聲也是晶體振蕩器的重要優勢.相位噪聲是指信號在傳輸過程中由于各種干擾因素導致的相位抖動,它會嚴重影響數據傳輸的準確性和穩定性.在高速數據傳輸中,如光通信系統,低相位噪聲的晶體振蕩器能夠減少信號的相位抖動,使信號更加純凈,降低誤碼率,提高數據傳輸的可靠性.在長距離的光纖通信中,信號經過多次放大和轉發,相位噪聲會不斷積累,如果晶體振蕩器的相位噪聲較高,信號在傳輸過程中就會發生嚴重的失真和誤碼,導致通信中斷.而低相位噪聲的晶體振蕩器則能有效抑制這種相位噪聲的積累,確保信號在長距離傳輸中的穩定性和準確性.
(二)適應復雜環境要求,ECS數據中心的運行環境復雜多變,溫度,濕度,振動,沖擊等因素都會對設備的正常運行產生影響,而晶體振蕩器憑借其出色的性能優勢,能夠在這樣的復雜環境中穩定工作.在溫度適應性方面,晶體振蕩器表現出色.數據中心的服務器在長時間運行過程中會產生大量熱量,導致機房溫度升高,而在一些特殊地區,數據中心還可能面臨極端低溫的環境.晶體振蕩器能夠在較寬的溫度范圍內保持穩定的頻率輸出.普通的晶體振蕩器工作溫度范圍通常為-40℃至+85℃,而一些高性能的晶體振蕩器,如采用特殊溫補技術的溫補晶體振蕩器(TCXO晶振),其工作溫度范圍可進一步擴大,且在整個溫度范圍內頻率漂移極小.在某位于高寒地區的數據中心,冬季室外溫度可達-30℃以下,機房內的溫補晶體振蕩器通過內部的溫度補償電路,自動調整頻率,確保在低溫環境下仍能為服務器提供穩定的時鐘信號,保障數據中心的正常運行.晶體振蕩器在抗沖擊和振動方面也毫不遜色.在數據中心的建設和維護過程中,設備可能會受到一定程度的振動和沖擊,如運輸過程中的顛簸,設備安裝時的碰撞等.晶體振蕩器采用特殊的封裝材料和結構設計,能夠有效抵抗這些外部的沖擊和振動.一些晶體振蕩器采用金屬封裝,內部的晶體元件通過特殊的固定方式與封裝外殼連接,減少了振動對晶體振蕩的影響.在數據中心的服務器升級過程中,工作人員在拆卸和安裝服務器部件時,可能會對服務器內部的晶體振蕩器產生一定的振動和沖擊,但由于晶體振蕩器良好的抗沖擊和振動性能,其仍能保持穩定的工作狀態,不會因這些外部因素而導致頻率偏差或工作異常.
(三)支持未來技術發展,隨著科技的飛速發展,ECS數據中心也在不斷進行技術升級和拓展,而晶體振蕩器在技術研發上的新進展,為其未來的發展提供了有力支持.小型化是晶體振蕩器的重要發展趨勢之一.隨著數據中心設備的集成度越來越高,對晶體振蕩器的體積要求也越來越小.晶圓級封裝技術(WLP)的應用,使得晶體振蕩器的尺寸大幅縮小.傳統的晶體振蕩器封裝尺寸較大,而采用WLP技術的晶體振蕩器,能夠將晶體元件,電路和封裝集成在一個微小的晶圓上,封裝尺寸可縮小至傳統封裝的幾分之一甚至更小.這種小型化的晶體振蕩器不僅節省了電路板的空間,還提高了設備的集成度和可靠性,非常適合在未來高密度,小型化的數據中心設備中使用.低功耗也是晶體振蕩器技術研發的重點方向.在數據中心,大量的設備持續運行需要消耗巨大的電能,降低設備的功耗對于節能減排和降低運營成本具有重要意義.新型的晶體振蕩器通過優化電路設計和采用低功耗材料,有效降低了功耗.一些基于MEMS(微機電系統)技術的晶體振蕩器,相比傳統晶體振蕩器,功耗降低了50%以上.在大規模的數據中心中,使用低功耗的晶體振蕩器,每年可節省大量的電能,減少碳排放,同時也降低了數據中心的散熱成本,提高了能源利用效率.除了小型化和低功耗,晶體振蕩器在頻率穩定性,相位噪聲等性能指標上也在不斷提升.未來,隨著5G,6G通信技術的普及,以及人工智能,大數據,云計算等技術的深入發展,ECS數據中心對晶體振蕩器的性能要求將越來越高.晶體振蕩器將不斷創新和發展,以滿足這些未來技術發展的需求,為ECS數據中心的持續演進提供堅實的技術保障.
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案例分析:成功應用的典范
(一)阿里云某大型數據中心,阿里云作為全球領先的云計算服務提供商,其旗下的眾多ECS數據中心在全球范圍內承載著海量的業務.以位于華東地區的某大型阿里云ECS數據中心為例,該數據中心為眾多互聯網企業,金融機構,政府部門等提供云計算服務,每日處理的數據量高達數PB,支撐著數以億計的用戶訪問.在這個數據中心中,晶體振蕩器發揮著至關重要的作用.數據中心內的服務器采用了高精度,低相位噪聲的晶體振蕩器,確保了服務器內部各個組件之間的時鐘同步精度達到皮秒級.在服務器的CPU與內存之間的數據傳輸過程中,晶體振蕩器提供的穩定時鐘信號使得數據讀寫操作能夠精準同步,大大提高了數據傳輸效率.在處理大規模的數據庫查詢任務時,由于晶體振蕩器的高精度時鐘保障,服務器能夠在短時間內快速響應,平均查詢響應時間縮短了30%,大大提升了業務處理效率.該數據中心的網絡設備,如核心交換機和路由器,同樣依賴晶體振蕩器來實現精確的時鐘同步和數據轉發.在數據中心的網絡架構中,不同區域的網絡設備需要保持高度的時鐘一致性,以確保數據包能夠準確,快速地轉發.晶體振蕩器的高精度和穩定性,使得網絡設備之間的時鐘偏差控制在極小范圍內,有效避免了因時鐘不同步導致的數據傳輸錯誤和延遲.在應對突發的網絡流量高峰時,數據中心的網絡設備能夠在晶體振蕩器的支持下,快速調整數據轉發策略,保障網絡通信的順暢.在某電商促銷活動期間,該數據中心的網絡流量瞬間增長了數倍,由于晶體振蕩器的穩定工作,網絡設備成功應對了流量沖擊,保障了電商平臺的正常運營,訂單處理成功率達到了99.9%以上.
(二)騰訊云某數據中心,騰訊云的某數據中心主要服務于社交網絡,游戲機設備晶振,視頻等業務領域,其業務特點是數據流量巨大,實時性要求極高.在該數據中心的ECS架構中,晶體振蕩器同樣是不可或缺的關鍵組件.為了滿足業務的高速數據傳輸需求,數據中心采用了低相位噪聲的晶體振蕩器,在視頻直播業務中,視頻數據需要實時,穩定地傳輸到用戶終端,晶體振蕩器的低相位噪聲特性確保了視頻流的穩定傳輸,有效降低了視頻卡頓和花屏現象的發生.據統計,在采用了低相位噪聲晶體振蕩器后,該數據中心所服務的視頻直播平臺的卡頓率降低了50%,用戶觀看體驗得到了極大提升.在應對復雜環境方面,該數據中心的晶體振蕩器表現出色.數據中心所在地區夏季氣溫較高,機房內的溫度時常接近40℃,晶體振蕩器憑借其良好的溫度適應性,在高溫環境下依然能夠保持穩定的頻率輸出,為服務器和網絡設備提供可靠的時鐘信號.在一次機房空調系統故障的緊急情況下,機房溫度在短時間內迅速上升,但由于晶體振蕩器的穩定工作,數據中心的關鍵業務系統在空調故障后的數小時內仍能正常運行,為技術人員修復空調系統爭取了寶貴時間,避免了因機房溫度過高導致的業務中斷.這些成功案例充分展示了晶體振蕩器在ECS數據中心網絡架構變革中的關鍵作用,以及它們共同實現的網絡架構優化成果和帶來的巨大業務價值.
ECS數據中心與晶體振蕩器重塑網絡架構的黃金搭檔

ECS-2333-160-BN-TR ECS晶振 ECS-2333 XO 16 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2033-250-BN ECS晶振 ECS-2033 XO 25 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2333-500-BN-TR ECS晶振 ECS-2333 XO 50 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2018-270-BN ECS晶振 ECS-2018 XO 27 MHz HCMOS 1.8V ±50ppm
ECS-2018-240-BN-TR3 ECS晶振 ECS-2018 XO 24 MHz HCMOS 1.8V ±50ppm
ECS-2033-500-BN ECS晶振 ECS-2033 XO 50 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3963-250-BN-TR ECS晶振 ECS-3963-BN XO 25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2033-240-BN ECS晶振 ECS-2033 XO 24 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2033-120-BN ECS晶振 ECS-2033 XO 12 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-327MVATX-2-CN-TR3 ECS晶振 ECS-327MVATX XO 32.768 kHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-327MVATX-3-CN-TR ECS晶振 ECS-327MVATX XO 32.768 kHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3225MV-260-CN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 26 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±25ppm
ECS-3225MV-240-BN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 24 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±50ppm
ECS-2018-250-BN ECS晶振 ECS-2018 XO 25 MHz HCMOS 1.8V ±50ppm
ECS-3225MV-500-CN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 50 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±25ppm
ECS-3225MV-120-BN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 12 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±50ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR3 ECS晶振 ECS-3225MV XO 25 MHz HCMOS 1.8V ~ 3.3V ±25ppm
ECS-3225MV-160-BN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 16 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±50ppm
ECS-3225MV-500-BN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 50 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±50ppm
ECS-3225MV-160-CN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 16 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±25ppm
ECS-2520MV-160-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 16 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2520MV-250-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 25 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2520MV-250-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 25 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MV-240-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 24 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MV-120-BL-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 12 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-5032MV-250-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 25 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2520MV-480-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 48 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MV-080-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 8 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2033-240-BN-TR3 ECS晶振 ECS-2033 XO 24 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2033-250-BN-TR3 ECS晶振 ECS-2033 XO 25 MHz CMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2520MV-500-BL-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 50 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MV-480-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MV XO 48 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR ECS晶振 ECS-3225MV XO 25 MHz HCMOS 1.62V ~ 3.63V ±25ppm
ECS-5032MV-240-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 24 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3953M-480-B-TR ECS晶振 ECS-3953M XO 48 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-5032MV-200-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 20 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2520MVQ-250-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MVQ XO 25 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-5032MV-500-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 50 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3963-040-BN-TR ECS晶振 ECS-3963-BN XO 4 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-2520MVLC-075-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 7.5728 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 8.192 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MVLC-120-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 12 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 27.12 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MVLC-049-BN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 4.9152 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±50ppm
ECS-2520MVLC-250-CN-TR ECS晶振 ECS-2520MVLC XO 25 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3951M-160-B-TR ECS晶振 ECS-3951M XO 16 MHz HCMOS 5V ±50ppm
ECS-5032MV-122.8-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 12.288 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-327MVATX-7-CN-TR ECS晶振 ECS-327MVATX XO 32.768 kHz CMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-5032MV-1250-CN-TR ECS晶振 ECS-5032MV XO 125 MHz HCMOS 1.6V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-2018-143-BN ECS晶振 ECS-2018 XO 14.31818 MHz HCMOS 1.8V ±50ppm
ECS-327ATQMV-AS-TR ECS晶振 ECS-327ATQMV XO 32.768 kHz CMOS 1.62V ~ 3.63V ±100ppm
ECS-3963-120-BN-TR ECS晶振 ECS-3963-BN XO 12 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3225MVQ-1000-CN-TR ECS晶振 ECS-3225MVQ XO 100 MHz HCMOS 1.7V ~ 3.6V ±25ppm
ECS-3953M-250-B-TR ECS晶振 ECS-3953M XO 25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3963-250-AU-TR ECS晶振 ECS-3963 XO 25 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
ECS-3953M-500-BN-TR ECS晶振 ECS-3953M-BN XO 50 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3951M-160-BN-TR ECS晶振 ECS-3951M-BN XO 16 MHz HCMOS 5V ±50ppm
ECS-3953M-250-BN-TR ECS晶振 ECS-3953M-BN XO 25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3953M-120-BN-TR ECS晶振 ECS-3953M-BN XO 12 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
ECS-3953M-018-BN-TR ECS晶振 ECS-3953M-BN XO 1.8432 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm

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