全世界的晶振廠家有很多，每個(gè)廠家有至少上百種晶振型號(hào)，那么是如何區(qū)分這些晶振產(chǎn)品的不同之外呢？除了外形不一樣，最重要是區(qū)別晶振的參數(shù)，做為一名晶振銷售人員，必須要了解各個(gè)重要的參數(shù)，才可以在與客戶溝通時(shí)，避免產(chǎn)生不必要的誤解和浪費(fèi)時(shí)間，因此不管是什么類型晶振參數(shù)都是極其重要的.

隨著石英晶振的廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)晶振的需求也隨之增長(zhǎng)。有些客戶采購(gòu)員或技術(shù)員對(duì)晶振了解的少之又少，很多時(shí)候雙方不能達(dá)成共同意見而導(dǎo)致客戶和晶振生產(chǎn)廠家造成損失，下面讓我們一起來(lái)了解石英晶振的相關(guān)參數(shù)。（pc:僅供相關(guān)人員參考。）

1、標(biāo)稱頻率（F）,標(biāo)稱頻率又叫做標(biāo)稱值。用以標(biāo)志或識(shí)別元件、器件的適當(dāng)近似值，其實(shí)晶體的實(shí)際頻率值都會(huì)有差別。

2、負(fù)載頻率（FL）,在給定的負(fù)載電容條件下，測(cè)出的對(duì)應(yīng)頻率。一般是相對(duì)標(biāo)稱頻率而言，單位用PPM表示。同一支產(chǎn)品在不同外接負(fù)載電容條件下，工作頻率不同，有時(shí)相差很大，因此外接負(fù)載電容不匹配，或電容精度太低，將導(dǎo)致工作頻率超出要求范圍而不能正常工作。

3、負(fù)載電容（CL）,是用戶在線路設(shè)計(jì)時(shí)外加的有效外界電容，單位用PF表示?？紤]到線路板的雜散電容和晶體本身形成的電容，在理論計(jì)算出的電容值基礎(chǔ)上需加3~5PF。在要求廠家制作石英晶體時(shí)必須確定此參數(shù)，否則會(huì)影響正常使用。

4、頻率公差，指在常溫（25℃±2℃）條件下相對(duì)標(biāo)稱頻率允許的晶體頻率散差范圍，單位用PPM表示，客戶可根據(jù)線路設(shè)計(jì)目標(biāo)需要進(jìn)行選擇。

5、溫度特性，在指定溫度范圍內(nèi)頻率或電阻變化達(dá)到要求范圍。頻率變化是相對(duì)值，是該只晶體隨溫度的變化相對(duì)于常溫條件下的變化值，用PPM表示。電阻是絕對(duì)值，用Ω表示。

6、DLD，在給定的激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)出的電阻或頻率的變化值。主要用來(lái)衡量貼片晶振材料和制造工藝的穩(wěn)定性。常用的幾個(gè)參數(shù)指標(biāo)：DLD2、RLD、FDLD。

DLD2，在給定的激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)出的最大諧振電阻與最小諧振電阻之間的差值。即:DLD2=MaxR-MinR，單位用Ω表示。

RLD，在給定的激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)出的最大電阻值。即:RLD2=MaxR，單位用Ω表示。

FDLD，在給定的激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)出的最大串聯(lián)諧振頻率與最小串聯(lián)諧振頻率之間的差值。即：FDLD=MaxFr-MinFr，單位用PPM表示。

7、靈敏度（TS）,表示頻率隨負(fù)載電容變化的變化值，單位用PPM/PF表示，負(fù)載電容越小，Ts越大，頻率受外界雜散電容影響變化越大。

8、頻率拉牽（DFL）,表示同一只石英晶體諧振器從一個(gè)負(fù)載電容調(diào)整到另一個(gè)負(fù)載電容時(shí)頻率的變化值。單位用PPM表示。

9、寄生，在主振頻率一定頻率范圍內(nèi)振動(dòng)雜波。常用的幾個(gè)衡量指標(biāo)：SPFR、SPUR、SPDB。

10、寄生頻率（SPFR）,在指定的頻率范圍內(nèi)寄生電阻最小的頻率。單位用PPM表示。

寄生電阻（SPUR）,在指定的頻率范圍內(nèi)寄生電阻最小的電阻，單位用Ω表示。

寄生dB值（SPDB）,在用12.5Ω測(cè)試頭測(cè)出的最小寄生電阻波峰相對(duì)主振波峰之間的差值，單位用dB表示。

在測(cè)量寄生波時(shí)掃描點(diǎn)數(shù)不能太少，否則有的寄生波掃描不出來(lái)，另外掃描頻率范圍也不要太寬，如果寄生振動(dòng)離主振頻率較遠(yuǎn)一般構(gòu)不成威脅，一定注意在主振頻率負(fù)頻方向不要出現(xiàn)寄生波，否則設(shè)計(jì)上就存在問(wèn)題。

上述常規(guī)格參數(shù)基本就確定了石英晶體的電氣性能要求，如果沒有特殊要求，沒必要把所有的參數(shù)進(jìn)行設(shè)定，但一定要指明幾個(gè)主要參數(shù)，標(biāo)稱頻率，負(fù)載電容、頻率公差、切型、振動(dòng)模式、激勵(lì)功率和溫度特性要求。

11、諧振電阻（RR）,無(wú)源晶振工作在諧振頻率時(shí)的電阻，單位用Ω表示。

12、振動(dòng)模式，是基頻還是泛音晶體，若是泛音晶體只有奇次泛音，沒有偶次，如3、5、7等。

13、激勵(lì)功率（DL）,指施加給石英晶體工作時(shí)提供的驅(qū)動(dòng)功率，單位用μW表示。功率不宜太小，否則不易起振，但也不能太大，易激起其它雜波甚至產(chǎn)生不可逆頻率變化，一般在10~100μW范圍內(nèi)差別不大。

14、切型，指晶片相對(duì)于SMD晶振結(jié)晶軸的取向。如果沒有特殊標(biāo)明一般指AT切型，AT切型具有頻率范圍寬，壓電活力高，在寬溫度范圍內(nèi)頻率濕度特性好，晶片加工方便等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛使用。

15、品質(zhì)因數(shù)Q值，Q值反映晶體性能好壞，單位有K表示。等效電阻大時(shí)Q值就低，功率消耗也大，而且還會(huì)導(dǎo)致頻率不穩(wěn)定，故Q值越大，頻率越穩(wěn)定。
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