1972年Q-Tech晶振公司在美國加利福尼亞州成立，自創(chuàng)辦以來，一直深入研究性能好的石英晶體振蕩器產(chǎn)品，并為太空空間站，航天設(shè)備供應(yīng)晶振，公司通過了ISO9001和AS9100認(rèn)證。主要服務(wù)井下探測，航天航空，軍工設(shè)備，通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域，改進(jìn)了小型化，高頻率，低成本的設(shè)計方案，Q-Tech晶體振蕩器融合了多項新的技術(shù)和工藝，專門為太空設(shè)備研發(fā)并生產(chǎn)出多款空間振蕩器。

空間產(chǎn)品歷史

1985年Q-Tech決定進(jìn)入太空應(yīng)用市場并收到MILSTAR計劃的第一份訂單。事實上，Q-Tech連續(xù)兩年獲得了TRW“年度供應(yīng)商獎”。

1994年，Q-Tech成為幾乎所有衛(wèi)星的混合石英晶體振蕩器的主要供應(yīng)商制造商在美國。

1999年，Q-Tech因其對卡西尼計劃的貢獻(xiàn)而獲得JPL/NASA獎。今天是2014年至今，Q-Tech在空間市場服務(wù)了29年，并且在設(shè)計方面取得了長足的進(jìn)步經(jīng)驗豐富，品質(zhì)卓越，飛行歷史記載眾多，推出了大量新產(chǎn)品。

Q-TECH輻射硬度保證計劃

1.0資格

1.1所有活躍的EEE組件都具有輻射（總電離劑量，位移損傷，和單個事件影響）特征數(shù)據(jù)代表了飛行批次設(shè)備的部件飛行申請。

2.0總電離劑量測試

2.1總電離劑量（TID）是給定材料中由能量產(chǎn)生的吸收劑量電離輻射的沉積。TID是通過電離在介質(zhì)中沉積的能量的量度每單位質(zhì)量的輻射。

2.2總電離劑量（TID）是一種長期失效機(jī)制，而SEE則是瞬時失效失敗機(jī)制。

2.3總電離劑量測試按照MIL-STD-883測試方法1019.7或MIL-STD-750測試方法1019.5。

2.4測試條件代表預(yù)期應(yīng)用中的最壞情況，通常為2倍余量。

2.5對于可能易受ELDRS影響的線性雙極集成電路和半導(dǎo)體器件，測試在0.001Rad（Si）/s至0.1Rad（Si）/s至50kRad（Si）或100kRad（Si）下進(jìn)行，兩者均為動力和無動力。

3.0位移損傷測試

3.1位移損傷（DD）是核相互作用的結(jié)果，通常是散射引起的晶格缺陷。質(zhì)子可能會導(dǎo)致雙極器件的位移損壞。移位損壞是由于質(zhì)子，電子和電子的累積長期非電離劑量損傷中子。進(jìn)入的粒子和晶格原子之間的碰撞隨后發(fā)生位移來自原始晶格位置的原子。

3.2位移損壞試驗按照MIL-STD-750試驗方法1017.1或MIL-STD-883測試方法1017.2。

3.3可以用中子位移損傷或質(zhì)子位移損傷來表征轉(zhuǎn)換為等效的1MeV中子損傷能量密度。4.0組合總電離劑量和位移損傷效果.。

4.1如果使用單獨的樣品進(jìn)行總電離劑量和位移損傷，則效果如下按MIL-HBK-814中的描述進(jìn)行分析。

4.2樣品可用于提供的位移損傷和電離劑量測試在完全電離劑量測試之前進(jìn)行位移損傷（中子）測試。

5.0零件降級設(shè)計限制

5.1部件降級的設(shè)計數(shù)據(jù)限制應(yīng)基于MIL-HBK-814以確保批次滿足0.99/90（99％的人口在90％置信水平）統(tǒng)計標(biāo)準(zhǔn)。特別GPSIII設(shè)計限制要求0.9999/90（99.99％和90％置信度）。

6.0單次事件（SEE）測試

6.1在空間軌道中使用的有源EEE組件，可能容易受到單一事件的影響所需的測試數(shù)據(jù)足以計算預(yù)期的單一事件影響率應(yīng)用。

6.2單事件效應(yīng)（SEE）是對電路正常運行造成的干擾單個離子通過或靠近電路中的敏感節(jié)點。SEE可能具有破壞性或非破壞性的。破壞性SEE包括單事件閉鎖（SEL），單事件燒毀（SEB）和單事件門破裂（SEGR）。非破壞性SEE包括單事件擾亂（SEU），單事件瞬變（SET）和單事件功能中斷（SEFI）。

6.3重離子測試單事件閂鎖，燒壞，瞬態(tài)和紊亂。適當(dāng)?shù)钠姾凸ぷ鳁l件：最壞情況偏置和閉鎖溫度，燒壞。對于單一事件鐓粗，瞬態(tài)，偏置和工作條件是最低工作電壓和空間溫度環(huán)境。

6.4能量損失測量-線性能量轉(zhuǎn)移（LET）：測量材料中的能量沉積，例如硅。LET單位是MeV/mg/c㎡（每面密度的能量）。

6.5橫截面是一種易感性的度量，單位是c㎡（區(qū)域）。

Q-TECH設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)符合輻射規(guī)格限制

1.0查看每個客戶的輻射硬度要求。盡量確保任務(wù)的石英晶振參數(shù)因為可靠性，可用性，操作性和壽命都得到滿足。參見下圖中的示例。

2.0涉及的人員包括輻射工程師，可靠性工程師，組件工程師和設(shè)計工程師。

3.0應(yīng)用設(shè)計指南并降低輻射保證余量。

4.0采購適用于應(yīng)用的RHA水平的EEE活性組分。搜索可用符合要求的輻射硬化組件。搜索商業(yè)替代品可能會被篩選出來。

5.0從組件級別的供應(yīng)商處獲取輻射測試數(shù)據(jù)。可能需要進(jìn)行額外的測試驗證和驗證。

6.0對完成的貼片振蕩器（如有必要）執(zhí)行TID測試，以收集用于最壞情況分析的數(shù)據(jù)（WCA）。

后TID輻射測試結(jié)果如下所示，20-FlatPack3.3Vdc空間時鐘為80.000MHz旨在滿足輻射要求。

核武器環(huán)境

核武器的輻射主要由光子（X射線和γ射線）和中子組成。在小于20ns內(nèi)發(fā)射的即時輻射產(chǎn)生已知的瞬態(tài)電離脈沖作為劑量率脈沖。Q-Tech測試程序，用于快速劑量閂鎖和組件和組件的紊亂振蕩器的水平得以實施。劑量率測試通常在電子線性上進(jìn)行加速器（LINAC）或閃光X光機(jī)確定鐓粗的閾值劑量率。劑量速率單位是rad/sec。

Q-TECH是GPSIII空間時鐘振蕩器的供應(yīng)商

Q-Tech是GPSIII計劃所有高可靠性空間混合振蕩器的現(xiàn)有供應(yīng)商應(yīng)驗證所有半導(dǎo)體器件和微電路的輻射質(zhì)量一致性維護(hù)以保證所有飛行單位的生存能力。洛克希德馬丁公司的GPSIII核硬度保證計劃（NHAP）3GPS-PN-07-0014是符合TOR-2006（1590）-4432附錄B，GPSIII零件材料和過程控制，計劃要求和TOR-2006（1590）-4430的附錄A，GPSIII技術(shù)電子零件，材料和工藝要求。下圖顯示了用于GPSIII的NPN微波晶體管的Q-TechRLAT測試計劃的示例空間時鐘。

Q-TECH輻射測試活動

Q-Tech在Space中的第一個設(shè)計是一個5.0VdcTTL邏輯，它使用一個NPN晶體管2N2222ASprague驅(qū)動8輸入正NAND門TI。Q-Tech開始評估有源元件的輻射硬度通過元件測試或OSC晶振級別確保。第一次輻射測試早在1991年

一直持續(xù)到今天。

Q-Tech通過直接測試或與我們的供應(yīng)商合作，積累了輻射庫顧客。今天我們有超過數(shù)百個測試結(jié)果。

1998年各種Q-TECH振蕩器的TID（HDR）測試結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)空間時鐘的典型測試TID（HDR）

用于劑量率UPS的閃光X射線測試和空間時鐘上的鎖定

在TAMU和美國伯克利以及比利時的兩個回旋加速器設(shè)施進(jìn)行單事件測試。該測試使用15MeVSEE光束至40MeV光束范圍（低LET）。

圖顯示了QT88上的測試截面的橫截面

QT88系列振蕩器中SEE的威布爾參數(shù)和速率計算

圖1顯示了MRFC901MOTOROLANPN晶體管的三角形應(yīng)用一類S電壓調(diào)節(jié)器HS-117RH的LDR線路調(diào)節(jié)的例子進(jìn)入最壞情況分析

供應(yīng)商數(shù)據(jù)表顯示空間調(diào)節(jié)器HS117-RH的最低情況下的電壓調(diào)節(jié)劑量率TID測試為±0.2％/V.

Q-Tech將最壞情況的輻射測試用于空間設(shè)計的模擬。輻射下最差情況下的半導(dǎo)體和微電路參數(shù)（hFE，頻率delta，Line調(diào)節(jié)電壓，電壓偏移等用于計算最壞情況分析。

B+振蕩器的Q-TECH輻射測試

Q-Tech有一個強(qiáng)大的輻射計劃，了解空間應(yīng)用的環(huán)境，設(shè)計和建造空間級混合時鐘振蕩器以滿足或超過要求。輻射硬度測試為自然空間輻射環(huán)境提供了緊密的模擬。該輻射測試在MIL-PRF-55310C組測試的第2組中是可選的，并且只能在以下情況下執(zhí)行客戶要求。

Q-Tech于2009年成功推出了B+航天低軌道應(yīng)用.Q-Tech上線并采用2.0μmCMOSFACT技術(shù)和1.3μmBiCMOS至MIL-PRF-38534，K級輻射批次驗收測試（RLAT）涵蓋高劑量率的總電離劑量（TID）測試（HDR）和低劑量率（LDR），以及單事件效應(yīng)（SEL，SEU）。B+產(chǎn)品線涵蓋CMOS+2.5Vdc，+3.3Vdc和+5Vdc，低至15kHz至220MHz的晶振頻率，以及40MHz至40MHz的LVDS 350MHz+2.5Vdc和+3.3Vdc。在每個晶圓批次上進(jìn)行輻射測試，可追溯到晶圓數(shù)量。

47年以來，美國Q-Tech晶振公司開發(fā)的有源晶振型號有非常多款，主要有OSC晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，VCXO壓控晶振，OCXO恒溫晶振等系列，另外還有量產(chǎn)SAW聲表面濾波器，主要是應(yīng)用到航天工程，因此規(guī)格和品質(zhì)非常高。同時也可以用于其他高端產(chǎn)品，可發(fā)揮出優(yōu)良的低相位抖動，低相噪，低功耗，低電壓，低損耗，低電平等特性。