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Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振

頻率：14.7456~49MHZ

尺寸：4.1*1.5mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振

Statek在陶瓷晶振封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機(jī)械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率,低長期老化,低功耗,非常小的足跡,優(yōu)秀的耐沖擊性,超低調(diào),在美國設(shè)計和制造,設(shè)計能力定制設(shè)計的有限元分析軟件，在構(gòu)建實物原型之前，能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行設(shè)備行為建模，節(jié)省您的時間。通過我們廣泛的設(shè)計和過程庫，從我們過去的成功中獲益。Statek擁有設(shè)計和分析各種操作模式中所有機(jī)械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振
Statek公司是設(shè)計和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點是低相位噪聲和低相位抖動，達(dá)到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時鐘應(yīng)用。提出了擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。

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Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振

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STATEK晶振	單位	CX9SMAT晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	14.7456~49MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±100 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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這些進(jìn)口晶振知識介紹是指，晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒反應(yīng)的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無信號開始尋找相關(guān)問題。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計數(shù)器來檢查石英貼片晶體終端的兩個信號，如果沒有信號輸出，請按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號，而是從在終端（辛）輸出沒有信號，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

你可以先把晶體卸載下來并測試進(jìn)口SMD晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動，也可以使用專業(yè)的石英晶體測試儀器來檢測。如果你沒法檢測你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測試。比如等效電路測試如下：歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進(jìn)口無源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過陶瓷面無源貼片晶體測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明超薄SMD晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過陶瓷面二腳晶振振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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